多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究

采用热壁物理气相沉积法(hot wallPVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω·cm)和较好的线性关系。

α-HgI_2多晶体合成工艺优化

针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法(工艺1)原料损失多、产量低等缺点,通过工艺优化,采用单温区安瓿旋转高温合成工艺(工艺2)合成了HgI2多晶粉体.对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量,结果表明:相对于工艺1,工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高,原料反应充分,HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的30%增大到90%.工艺2中杂质总量在10×10-6以下,达到HgI2单晶体生长要求.