碘化汞晶体的品质鉴定

用气相定点成核法（ＶＰＬＰＭ）生长出碘化汞单晶体，借助光电流、紫外┐可见光谱、傅里叶变换红外（ＦＴＩＲ）光谱和拉曼谱的测量来表征．结果表明，碘化汞晶体中不含Ｈｇ２Ｉ２杂质。

碘化汞(α-HgI_2)晶体生长及其性能表征

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征。XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001]。紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%。由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰。所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω.cm,满足制作核辐射探测器的要求。

碘化汞单晶体的生长习性研究

碘化汞单晶体的生长习性研究李正辉李伟堂赵北君朱世富银淑君陈观雄（四川联合大学材料科学系，成都６１００６４）ＳｔｕｄｉｅｓｏｆＧｒｏｗｔｈＨａｂｉｔｓｏｆｔｈｅＨｇＩ２ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＬｉＺｈｅｎｇｈｕｉＬｉｗｅｉｔａｎｇＺｈａｏＢｅｉｊｕｎ...

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术；讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温下对５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶ射线的能量分辨率（ＦＷＨＭ）分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。

HgI_2在KI水溶液中溶解度测定及晶体生长

通过测定不同温度下Hg I2在浓度分别为0.25 mol/L,0.50 mol/L,0.75 mol/L,1.00 mol/L的KI水溶液中的溶解度,绘制了溶解度曲线。结果表明:KI水溶液浓度一定时,温度对Hg I2在KI溶液中的溶解度影响很小;温度一定时,随着KI水溶液浓度增大,Hg I2的溶解度大幅度增大;随着KI水溶液浓度的增大,温度对Hg I2在KI水溶液中的溶解度变化的影响增大。根据所得到的Hg I2-KI-H2O体系性质,选取1.00 mol/L的KI水溶液溶解碘化汞,通过缓慢降温,利用顶部籽晶法生长碘化汞晶体,得到了重达17.4 g的鲜红透明的晶体。