高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液

随着集成电路技术节点的缩小,需要开发一种具有高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液,而且对抛光后的残留,腐蚀和微划伤等表面缺陷的要求也更严格。这是一种具有优异性能的铜化学机械抛光液。研究了抛光液配方对抛光性能包括去除速率和轮廓,静态腐蚀速率,碟形凹陷,铜残留物的清除能力和铜腐蚀状况的影响。电化学方法也被用来研究和支持这些抛光结果和性能。通过优化配方和抛光工艺,该铜化学机械抛光液能在>0.9μm/min的去除速率下获得约300?的碟形凹陷。

骨皮质碟形凹陷征——尤文氏肉瘤少见的特征性影像学表现

尤文氏肉瘤为发生于儿童常见的恶性骨肿瘤。在美国的16岁以下儿童中,每年白人儿童发病率为2.8/百万,黑人儿童则为0.3/百万,本病通常累及 长管 骨和骨盆。其临床症状常有发烧,局部疼痛及软组织肿块,疼痛早期多呈间歇性,则常为患者就诊的主要原因。

抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究

利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大.

嵌入式闪存中浮栅多晶硅CMP制程的研究与改善

随着CMP技术的日益发展和闪存特征尺寸的越来越小以及对多晶硅表面形态及前后层次间套准要求的提高,这一技术也被用于嵌入式闪存产品中浮动栅多晶硅的平坦化。浮动栅多晶硅厚度及表面形态对器件的电性参数及后续工艺影响较大,因此怎样得到一个稳定、厚度均匀及表面形态佳的浮动栅多晶硅显得至关重要。文章就以在90nm嵌入式闪存开发浮动栅CMP过程中出现的多晶硅残余及多晶硅凹陷问题进行原因分析,通过减少化学机械研磨过程中产生的碟形凹陷及提高单个芯片内不同有源区上的多晶硅厚度的均匀性进行实验和研究,使浮动栅研磨后的多晶硅残余和多晶硅凹陷得到明显的改善。