SOI MOSFET浮体效应与抑制的研究

提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位及其对其他器件参数和各寄生电流成分的影响，成功地解释了器件处于背界面积累状态时的Ｋｉｎｋ现象和器件的异常击穿机理。根据所建浮体效应物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。结果表明，降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽情形下适当提高沟道掺杂浓度，可以有效地抑制浮体效应，提高器件的源漏击穿电压。这些参数在工艺上可以对应采用ＬＤＤ＆ＬＤＳ的ＭＯＳ结构、准确控制的沟道缺陷工程等，为从工艺设计上进一步改善ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的器件特性打下了理论基础。