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碲化铅镀膜材料中的微缺陷 被引量：1
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作者 王葛亚 施天生 张素英 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期476-476,共1页
碲化铅镀膜材料中的微缺陷王葛亚，施天生，张素英（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）（中国科学院上海技术物理所，上海２０００８３）化合物半导体材料碲化铅（ＰｂＴｅ）已广泛用作波长大于３．８μｍ范围高折射率膜层... 碲化铅镀膜材料中的微缺陷王葛亚，施天生，张素英（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）（中国科学院上海技术物理所，上海２０００８３）化合物半导体材料碲化铅（ＰｂＴｅ）已广泛用作波长大于３．８μｍ范围高折射率膜层材料。１９７７年严义埙等人采用富Ｔ... 展开更多
关键词 半导体材料 碲化铅镀膜 晶体缺陷
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