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多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析
被引量:
1
1
作者
沈川
顾仁杰
+1 位作者
陈路
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期122-127,共6页
前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒...
前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用.
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关键词
碲镉汞
碲化镉钝化层
热退火
位错
应力
下载PDF
职称材料
题名
多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析
被引量:
1
1
作者
沈川
顾仁杰
陈路
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期122-127,共6页
文摘
前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用.
关键词
碲镉汞
碲化镉钝化层
热退火
位错
应力
Keywords
HgCdTe
CdTe passivation layer
thermal annealing
dislocation
stress
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析
沈川
顾仁杰
陈路
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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