Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究

用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.

温差电材料Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3双掺杂调控及热电性能研究

采用真空熔炼及热压方法制备Ga和Na共掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。利用X射线衍射（XRD）技术对样品的物相结构进行了表征。在300~500K测量温度范围内,共掺杂样品的Seebeck系数均低于Bi0.5Sb1.5Te3的Seebeck系数,并随着Ga掺杂量的增加,Seebeck系数逐渐减小。共掺杂使样品的载流子浓度增加,从而有效地提高了材料的电导率。所有共掺杂样品的热导率都大于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在Na掺杂浓度不变的情况下,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率逐步增加,Na0.04Bi0.5Sb1.46-xGaxTe3（x=0.12）样品具有高电导率的同时,Seebeck系数和热导率的损失不是很大,材料的热电性能得到了改善,在300~475K测量温度范围内的热电性能优值与Bi0.5Sb1.5Te3相比较均有所提高,325K时的最大ZT值为1.4。