碲材料中钠、钾杂质成份的测定

本文揭示了钠、钾受基体元素碲干扰的现象和分析系统中酸度对钠、钾吸光度的影响,在理论上探讨了碲对钠、钾干扰的原因,利用加入盐酸和铝元素的方法分别排除碲对钾、钠的干扰,提出一个方便,实用的测定方法,回收率和RSD分别为95-102%和7.4%。

氧化碲非线性光学材料的研究进展

综述了氧化碲非线性光学材料(包括纯TeO_2材料和掺杂有其它物质的氧化碲基材料)的制备方法、国内外研究进展,探讨了分子结构对氧化碲基材料非线性光学性的影响,分析了采用高温熔融法和溶胶-凝胶法制备氧化碲非线性光学材料的优缺点,展望了氧化碲材料的应用前景。指出高温熔融法或溶胶-凝胶法与其他制备方法,如超声、光聚合、电化学等相结合是制备优异氧化碲非线性光学材料的有效手段。

液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

对铋碲合金电沉积过程进行了研究,并分析了温度和硝酸浓度对铋碲共沉积的影响.结果表明,Bi3+和HTeO2+合溶液中的电沉积是分阶段进行的.溶液中HTeO2+的存在阻碍了Bi3+的电沉积.铋碲共沉积的速度随温度的升高以及溶液中硝酸浓度的增加而加速.实验中还研究了沉积电位对铋碲组成的影响.采用ESEM分析了铋碲纳米线阵列温差电材料的形貌.

碲基复合材料薄膜的三阶非线性光学特性

采用电化学诱导溶胶-凝胶法在导电玻璃片上制备了具有三阶非线性光学特性的碲基复合薄膜材料.采用SEM(扫描电镜)和EDX(X光电子能谱)对薄膜的表面形貌和组成进行表征;应用分光光度计得到薄膜的透射光谱、反射光谱、吸收光谱,并结合脉冲激光器和Z扫描方法测量薄膜的三阶非线性光学特性.实验结果表明制备的薄膜呈网状结构,表面组分主要包括Si、Te、O元素;薄膜在波长为1064nm处呈现负的非线性折射效应和饱和吸收的性质,其非线性折射系数和非线性吸收系数分别为-4.18×10-13m2/W和-1.6×10-6m/W,表明了碲基复合薄膜有较强的非线性光学效应,得到三阶极化率为1.13×10-14(m/V)2,表明复合薄膜具有优良的三阶非线性光学性能.

真空熔铸的铜铬碲触头材料及其性能研究

介绍了采用真空熔铸方法制造的铜铬碲触头材料及其性能,测试结果表明,它是一种性能优良的新型真空灭弧室触头材料。

碲镉汞材料制备及其评价

红外辐射是介于可见光和微波之间的电磁波,波长从0.75微米到1000微米,覆盖光谱区之宽是可见光、X光等其它有意义的电磁波段不能相比的,因而也包含更多的内容,有更多的应用。为了研究红外辐射,制造红外器件乃至红外系统是必不可少的。

碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)材料的第一性原理研究

Cd_(1-x)Zn_xTe(CZT)材料具有优良的光敏特性和电学性质,其应用领域或多或少都涉及到材料结构完整性的问题,因此材料结构的优化已经成为亟待解决的重要问题之一。本文简要介绍了借助第一性原理的方法研究CZT材料,通过其电子结构的信息对已有的实验表征、缺陷、掺杂对材料的成键机制、悬挂键的分布及能带结构的影响机制加以验证,从而能够为材料的生长机制和器件设计提供有力的理论依据。

碲镉汞材料与红外探测技术的发展

简要说明了红外探测器的种类和优缺点,着重介绍了碲镉汞(MCT,HgCdTe)特别是外延生长的HgCdTe薄膜材料,在红外探测技术发展中的地位和获得广泛应用的原因,及其在未来红外探测技术发展中面临的挑战。

碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为 2 0ns至 3ms,测量温度可以从 80K到 32 5K变化 ,整个系统的测量由计算机控制自动进行 ,可以对样品进行X Y平面扫描测量并进行结果数据分析。同时 ,还报道了用 μ

长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触

碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4?·cm2、8.95×10-4?·cm2。

用X射线衍射评价硅基碲镉汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述

1 引言 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)三元合金化合物半导体是一种重要的红外材料.人们可以通过调节其组分x值的大小连续改变其禁带宽度(从0eV～1.6eV),从而获得几乎覆盖整个红外区域的响应波长.用它制备的红外探测器在军事、民用等领域得到了广泛应用.

n型碲化铋基材料的制备及其热电性能研究

以Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)为基础配比,99.99%的高纯Te、Bi、Se为原料,通过高温真空熔炼合金化-无氧环境机械粉碎-精密筛分制粉-独创热压装置快速热压工艺,制备出块体n型碲化铋基热电材料。采用粒度分析仪、扫描电镜、氧氮分析仪对合金粉末的粒度和氧含量进行了测定,用X射线衍射仪对合金粉末的物相结构进行了表征,并对热压块体样品的抗弯强度进行测试。热电性能测试结果显示,所制备热压块体样品不同方向的Seebeck系数和ZT值(热电优值系数)基本相同,但电阻率和热导率有不同程度的取向,但与市购区熔热电材料相比取向度明显降低。热压块体样品的相对密度高达99%,抗弯强度达到87 MPa,最高ZT值约为0.7。该工艺的生产设备简单可靠,生产成本低,工作效率高,适合产业化。

碲镉汞材料离子注入P-N结产生损伤的修复方法

本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P—N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P—N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。

不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究

对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 。

B^+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析

运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法,模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱,结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现,并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射率和消光系数等相关参量,所得结果与微分Hall法测试的结果是一致的.计算结果也表明B+注入HgCdTe导致红外透射率变化的根本原因是注入层的高载流子浓度的等离子效应改变了该层的折射率和消光系数.

用于蓝光存储的无机材料的研究及进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。

碲镉汞富碲垂直液相外延技术

研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.

长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命

测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。

Pb_(1-x)Ge_xTe材料及光学薄膜器件温度稳定性的研究

1薄膜光学和光学薄膜技术以及光学薄膜器件温度稳定性的研究 自二十世纪三十年代年代中期出现反射镜、减反射膜和利用光的干涉效应的滤光片以来,薄膜光学和光学薄膜技术走过了半个多世纪,已经发展成为一门成熟的工程技术学科.