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TeSeIn相变记录薄膜及其可逆光存贮特性
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作者 薛松生 范正修 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期1109-1114,共6页
本文报道了从理论和实验上对相变记录薄膜Te_x(In_ySe_(1-y))_(1-x)系统的研究结果.当记录薄膜TeSeIn的组成对应共晶区域(x=0.7,y=0.2～0.5)时,TeSeIn膜具有稳定的光致可逆相变循环过程,擦除时间10μs,读出信号对比度0.23,擦写循环次数... 本文报道了从理论和实验上对相变记录薄膜Te_x(In_ySe_(1-y))_(1-x)系统的研究结果.当记录薄膜TeSeIn的组成对应共晶区域(x=0.7,y=0.2～0.5)时,TeSeIn膜具有稳定的光致可逆相变循环过程,擦除时间10μs,读出信号对比度0.23,擦写循环次数达10~5以上. 展开更多
关键词 碲硒铟合金 可擦除光盘 记录薄膜
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