固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究

ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析,用紫外可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究。分析表明,该薄膜的结构符合闪锌矿的特征。紫外可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰,可见光区的吸收很微弱。光致发光光谱表明,样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰,发射光肉眼可见。该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。

XPS定量测量三元合金ZnS_(1-x)Te_x薄膜组分x的研究

利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0 <x <1)薄膜的组分x ,对比用高分辨率X射线双晶衍射技术的测量结果 ,相对误差小于 10 %。

ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱

研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着

用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移

应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法测得的结果相一致．

ZnS_xTe_(1-x)三元混晶的光学性质研究

报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光致发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光；ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子陷阱上的自陷激子的辐射复合．