静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2