碲锌镉单晶体生长参数的实时监控

碲锌镉晶体生长质量与生长条件有着密切的关系。实时检测晶体生长参数,改进生长条件是生长高质量晶体的关键。为此设计了一个参数监控系统,实现对碲锌镉晶体生长过程参数的实时监控、记录、存储和显示。通过对各控制参数数据分析和比较,找到了碲锌镉单晶体生长缺陷的根源,改进了生长设备,制备出了高质量的碲锌镉单晶体。

CdZnTe晶体的缺陷能级分析

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。

样品的表面制备对碲锌镉单晶X射线双晶摆动半峰宽测量的影响

对碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ，简写ＭＣＴ）薄膜外延生长通常使用的〈１１１〉方向的碲锌镉（Ｃｄ１－ｙＺｎｙＴｅ，简写ＣＺＴ）衬底晶片做了不同的机械磨抛、化学腐蚀的表面制备，在相同的测量条件下进行双晶摆动半峰宽测量．结果表明，样品的表面制备对ＦＷＨＭ值有严重的影响．本文介绍了这种测量所应具有的表面制备及测量条件．