溅射气压对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响

实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化的影响 ,结果表明 :随薄膜制备时氩气气压的增加 ,Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率n先增大后减小 ,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化 ,且在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 ,解释了溅射气压对Ge2 Sb2 Te5

掺Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变存储薄膜的光学性质

提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有足够的响应 ,同时其相变速度也越快越好。因此 ,相变材料性能的改进十分重要 ,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一。用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2 Sb2 Te5相变薄膜 ,由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 :薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。研究了薄膜在 2 5 0～ 90 0nm区域的反射光谱和透射光谱。结果表明 :适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长 (30 0～ 4 0 5nm)的反射率衬比度 ,可见 ,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径。