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Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
1
作者
莫要武
吴汶海
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1997年第1期107-111,共5页
测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2...
测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d(4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。
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关键词
溶液生长
半磁
半导体
光学性质
碲锰镉半导体
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职称材料
题名
Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
1
作者
莫要武
吴汶海
机构
上海大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1997年第1期107-111,共5页
文摘
测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d(4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。
关键词
溶液生长
半磁
半导体
光学性质
碲锰镉半导体
Keywords
Solution growth, Semimagnetic semiconductor, CdMnTe, Pbotolu minescence
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
莫要武
吴汶海
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1997
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