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CC双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响 被引量：9
1
作者 叶超 宁兆元 +2 位作者 程珊华 辛煜 许圣华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1496-1500,共5页
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳 (a_C :F)薄膜的电学性质 .发现对于不同C_Fx 含量的薄膜 ,CC含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响 .薄膜的直流I_V特性呈现I =aV +bVn规律 ,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空... 研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳 (a_C :F)薄膜的电学性质 .发现对于不同C_Fx 含量的薄膜 ,CC含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响 .薄膜的直流I_V特性呈现I =aV +bVn规律 ,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流 (SCLC)组成的导电过程 .由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关 ,而a_C :F薄膜中CC的含量决定带尾态密度的分布 ,因此a_C :F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中 CC 决定的导电过程 . 展开更多
关键词 氟化非晶碳薄膜 直流伏安特性 电子回旋共振等离子体技术 碳=碳双键 空间电荷限流 带尾态密度
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