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Cδ掺杂Al_xGa_(1-x)A_s多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍耳评估
1
作者
董争
黄力平
+2 位作者
王英姿
姚奎鸿
G.Li
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
2000年第5期503-506,共4页
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 TMAl为掺杂源的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延样品的二维空穴浓度可达到 1.1× 10 13 / cm2 ,比以 TM...
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 TMAl为掺杂源的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延样品的二维空穴浓度可达到 1.1× 10 13 / cm2 ,比以 TMG为掺杂源的样品提高一个数量级 ,且其掺杂浓度对 Al摩尔分数的依赖程度远较使用 TMG为低 .实验还发现具有 10 15/ cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 pipi Alx Ga1-x As超晶格的迁移率与具有 10 13 / cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延的迁移率几乎没有差别 ,证实了 pipi Alx Ga1-x As超晶格中各δ掺杂层的电子云交叠大大减弱了电离杂质散射 ,使迁移率得到显著提高 .
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关键词
霍耳测试
砷化镓
镓铝砷
碳δ掺杂
超晶格
下载PDF
职称材料
题名
Cδ掺杂Al_xGa_(1-x)A_s多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍耳评估
1
作者
董争
黄力平
王英姿
姚奎鸿
G.Li
机构
浙江大学材料科学与工程学系
澳大利亚国立大学电子材料工程系
出处
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
2000年第5期503-506,共4页
基金
国家教育部博士点基金资助项目! (89335 2 6 )
文摘
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 TMAl为掺杂源的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延样品的二维空穴浓度可达到 1.1× 10 13 / cm2 ,比以 TMG为掺杂源的样品提高一个数量级 ,且其掺杂浓度对 Al摩尔分数的依赖程度远较使用 TMG为低 .实验还发现具有 10 15/ cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 pipi Alx Ga1-x As超晶格的迁移率与具有 10 13 / cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延的迁移率几乎没有差别 ,证实了 pipi Alx Ga1-x As超晶格中各δ掺杂层的电子云交叠大大减弱了电离杂质散射 ,使迁移率得到显著提高 .
关键词
霍耳测试
砷化镓
镓铝砷
碳δ掺杂
超晶格
Keywords
Hall effect
gallium arsenide
Al\-xGa\-\{1-x\}As
carbon \%δ\%\|doping
superlattice
MOVPE
TM(
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cδ掺杂Al_xGa_(1-x)A_s多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍耳评估
董争
黄力平
王英姿
姚奎鸿
G.Li
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
2000
0
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职称材料
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