钛合金TC4的电火花放电研究

对使用石墨电极进行电火花加工钛合金TC4进行了研究,认为无论脉宽大小均应采用正极性加工。并通过扫描电镜分析和X射线衍射分析等手段对正极性加工时其表面不形成碳保护膜的原因进行了深入的分析。

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)

对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。