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SiC_p/Al-Si复合材料中SiC/Si的晶体学位向关系 被引量：1
1
作者 隋贤栋 罗承萍 +1 位作者 欧阳柳章 骆灼旋 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B01期168-172,共5页
用 ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的 ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料，发现 Ｓｉ优先在 ＳｉＣ表面上形核、长大，并形成大量“界面 Ｓｉ”及 ＳｉＣ／Ｓｉ界面 ＳｉＣ与 Ｓｉ之间不存在固定的晶体学位向关系，但存在（１１０１）Ｓｉ... 用 ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的 ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料，发现 Ｓｉ优先在 ＳｉＣ表面上形核、长大，并形成大量“界面 Ｓｉ”及 ＳｉＣ／Ｓｉ界面 ＳｉＣ与 Ｓｉ之间不存在固定的晶体学位向关系，但存在（１１０１）ＳｉＣ ／／（１１１）Ｓｉ，［１１２０］ＳｉＣ ／／［１１２］Ｓｉ优先出现的位向关系，而（０００１）ＳｉＣ 展开更多
关键词 碳化硅 颗粒增强 铝基复合材料 晶体学 碳化硅/硅界面
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