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功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立 |
苏乐
王彩琳
谭在超
罗寅
杨武华
张超
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响 |
杨林安
张义门
于春利
杨永民
张玉明
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《计算物理》
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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3
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4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算 |
王平
杨银堂
刘增基
尚韬
郭立新
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《计算物理》
EI
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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4
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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 |
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
2
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5
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巨头跑步进场功率半导体进入SiC时代? |
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《变频器世界》
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2023 |
0 |
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碳化硅功率器件的应用与发展趋势 |
韦仕贡
淮永进
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《微纳电子与智能制造》
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2023 |
0 |
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碳化硅功率器件技术综述与展望 |
盛况
任娜
徐弘毅
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《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
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2020 |
84
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8
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高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究 |
游海龙
蓝建春
范菊平
贾新章
查薇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
11
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9
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碳化硅超结器件的研究进展 |
张金平
张琨
陈伟
汪婕
张波
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《机车电传动》
北大核心
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2023 |
0 |
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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 |
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
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《微纳电子技术》
北大核心
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2019 |
3
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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SiC MOSFET的质子单粒子效应 |
史慧琳
郭刚
张峥
李府唐
刘翠翠
张艳文
殷倩
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
11
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碳化硅MOSFET并联技术研究 |
刘琳
成俊康
王志业
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《通信电源技术》
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2023 |
0 |
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Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍 |
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《电视技术》
北大核心
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2007 |
0 |
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求 |
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《电子设计工程》
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2014 |
0 |
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安森美半导体扩充功率开关产品阵容,推出高压MOSFET系列 |
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《电源技术应用》
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2010 |
0 |
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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20
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60VN通道功率FemtoFET功率晶体管 |
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《今日电子》
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2016 |
0 |
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