半导体碳化硅衬底的湿法氧化

半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。

聚焦碳化硅,罗姆与东芝联手深化功率半导体业务合作

据外媒报道,在罗姆近日召开的财务业绩发布会上,公司总裁Isao Matsumoto(松本功)宣布,将于今年6月开始与东芝在半导体业务方面进行业务谈判,预计谈判将持续一年左右。两家公司旨在加强旗下半导体业务全方面合作,涵盖技术开发、生产、销售、采购和物流等领域。

芯动半导体与意法半导体签署碳化硅战略合作协议

3月8日,芯动半导体与意法半导体在深圳签署战略合作协议。nics SicMou signinaCeremony长城汽车零部件董事长郑立朋、芯动半导体总经理姜佳佳,意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery,执行副总裁、中国区总裁曹志平,中国区市场及应用副总裁FrancescoMUGGERI,销售副总裁赵明宇出席签约仪式。

年产1600吨半导体碳化硅项目签约安吉

6月28日,据“安吉发布”官微消息,在“源起黄浦江潮涌向未来”安吉(上海)推介会上,35个项目集体签约,包括年产1600吨碳化硅衬底材料项目、高性能新能源电池覆膜材料产业园项目、云上龙王山·高山全季文旅度假综合体项目等。

压敏电阻对半导体桥火工品电爆性能的影响

压敏电阻能有效抑制浪涌电压,可用于火工品电磁防护。为研究压敏电阻对半导体桥(SCB)火工品电爆性能的影响,本研究在电容放电(47μF、22 V)与恒流(100 ms)激励条件下测试了并联压敏电阻前后典型尺寸SCB火工品100μm(L)×400μm(W)×2μm(T)和低发火能量SCB火工品20μm(L)×100μm(W)×2μm(T)的爆发时间和爆发消耗能量的变化规律。电容放电实验(47μF、22 V)结果 t检验表明,并联压敏电阻前后的典型SCB火工品的爆发时间和爆发能量均无显著性变化;对于低发火能量SCB火工品,并联击穿电压较低的压敏电阻时,爆发所需能量升高14%,而爆发时间无显著性变化。而恒流(100 ms)激励实验结果表明,压敏电阻对两种SCB火工品电爆性能均无显著性影响。

意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作计划,由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用Soitec的SmartSiC技术制造未来的8寸碳化硅衬底,促进公司的碳化硅器件和模块制造业务,并在中期实现量产。

助力碳化硅性能发挥半导体技术应用探索

碳化硅半导体材料(SiC)在电子、航空航天、汽车等领域有着广泛的应用。随着电子行业和汽车行业的发展,对碳化硅半导体材料的需求不断增加。碳化硅器件性能优异,工作温度高、电压低,可实现高功率密度、高效率,可以满足高性能和低功耗等需求。碳化硅半导体材料的性能优势使其成为电力电子领域的热门材料。电力电子技术是电力系统中必不可少的一部分,而碳化硅(SiC)材料在电力电子领域应用广泛。目前, SiC器件已在光伏逆变器、新能源汽车等领域得到广泛应用。随着碳化硅器件技术不断成熟,碳化硅功率芯片市场也在不断扩大,其性能也将得到进一步提升。

碳化硅加速! 积塔半导体完成135亿元融资

近日,据铭盛资本消息,上海积塔半导体有限公司(以下简称“积塔半导体”)完成135亿元人民币融资,本轮融资汇聚多家国家基金、产业投资人、地方基金、知名财务投资人等。2017年,积塔半导体特色工艺生产线项目签约落户上海临港,项目总投资359亿元,于2018年8月开工建设,按照计划,项目一期投资89亿元,规划建设月产能6万片8英寸晶圆的0.11μm/0.13μm/0.18μm(微米)工艺生产线;月产能3000片12英寸特色工艺晶圆的55nm/65nm(纳米)工艺先导生产线;以及月产能5000片6英寸晶圆的SiC生产线,已在2020年实现全面量产。

第三代半导体(包括金刚石)产业化应用之路

进入21世纪以来,以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。禁带宽度大、击穿电场强、导通电阻低、电子迁移率高、转换效率高、热导率高、损耗低……这些优势使得氮化镓成为备受关注的第三代半导体材料。沈波告诉《中国科学报》:“我们研究的落脚点就是要解决氮化镓半导体走向实际应用面临的各种关键科学技术问题,这也是我们半导体物理这个学科本身的特点。”

耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器

在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是SiC晶体,因其禁带宽度大、晶体原子离位能大以及电子空穴迁移率高等特点,最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。

中国第三代半导体产业发展研究

第三代半导体广泛应用于照明、电力电子、新一代移动通信、新能源等领域,其基础性强、战略意义重大。我国第三代半导体产业链已经基本完备,市场规模逐年快速增长,且第三代半导体技术在专利布局方面也具备优势,与国际领先水平的差距不断缩小。本文对中国第三代半导体产业和技术发展现状以及发展趋势进行研判与分析,针对第三代半导体技术发展出现的问题,提出未来中国第三代半导体技术发展的思路与建议。

总投资10亿!第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户

6月5日,在北京昕感科技有限公司总部,在锡山区委书记方力与昕感科技董事长王哲共同见证下,第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。此次签约的项目总投资超10亿元,主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线,可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产,实现满产产能约129万只/年,产值超15亿元/年。

10.5亿,连城数控将投建第三代半导体项目

早在2018年,特斯拉在Model3上率先采用了碳化硅器件,自此,碳化硅开始驶入发展的快车道。时至今日,碳化硅正在冲击8英寸的“龙门”,而设备端作为碳化硅降本增效不能忽视的一环,能助力碳化硅飞得更高。也因此,相关设备厂商持续发力,不断满足产业链对设备的要求。近日,连城数控便宣布了一项10.5亿的投资项目。

碳化硅压敏电阻非线性机理研究

基于碳化硅压敏电阻的实验结果，提出了其中非线性电输运的物理模型，计算了非线性系数，阐明了组分和显微结构与性能的关系，与实验结果较好符合。讨论了建立统一的在压敏电阻传导物理模型的可能性。

半导体碳化硅在伪火花放电高能开关中的应用

伪火花放电开关 (PSS)的寿命主要由大电流下的电极烧损决定 ,其机理为金属电极产生的蒸汽电弧改变了原有均匀辉光放电所致。半导体碳化硅 (Si C)可以维持伪火花开关电极表面的均匀辉光放电 ,抑制电弧产生 ,使电极烧损大大减小 ,还解决了开关在小电流下奇异放电问题 (电流猝灭和暂态阻抗降低 )。简述了金属钼电极与 Si C电极的放电过程和特点后简要分析了 Si C电极抑制电弧的原理 。

功率半导体发展与测试技术研究

以GaN、SiC新材料功率半导体为代表的高性能功率器件和功率模块的出现,在太阳能光伏、风能、新能源汽车、高性能电源、储能、家电等领域广泛应用,其电压电流能力的提升,开关速度和功率密度的提升,对功率半导体的性能和可靠性提出了新的要求,对制造过程各阶段的测试要求也提出了新的挑战。通过分析新材料技术特点和生产工艺要求的研究,研究相关参数测试方法和测试流程,提出了降低功率模块制造成本、提高模块可靠性的基本要求和方法。

平煤神马与乾晶半导体签订SiC合作协议

2024年1月2日,平煤神马集团旗下的中宜创芯董事长孙毅与乾晶半导体董事长皮孝东分别代表双方签订战略合作协议。双方表示将发挥各自平台优势,在推进行业技术创新、高层次人才培养、以及半导体碳化硅材料质量标准建设等方面开展务实合作。中宜创芯全称为河南中宜创芯发展有限公司,成立于2023年5月24日,注册资本金3亿元,是由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资控股集团共同出资设立的合资公司,主要开展电子级高纯碳化硅粉体和碳化硅衬底的生产和经营业务。

碳化硅半导体技术及产业发展现状

碳化硅半导体（这里指4H-SiC）是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高（比硅高3倍）、与GaN晶格失配小（4％）等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。

高温半导体材料碳化硅及其在微机电中的应用

简要介绍碳化硅的性质、制备、加工技术和它在恶劣环境下的微机电系统中的应用。