碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。

探究碳化硅单晶抛光片激光加工技术

随着现代科技的不断发展,企业如果可以控制新一代材料则可控制新一代器件,此时也可以走在科技发展的最前列。当前碳化硅单晶材料是半导体材料中最为新型的材料,自身具有宽度大,击穿性强,漂移速度高的特点,热导率较大,因此电导数较小,所以可以有效应对各类辐射问题,因此整体也具备稳定性的特点,可以将其应用在高密度集成的电子器件中,现已成为国际最为关注的焦点信息之一。针对碳化硅单晶材料制备方面,其中主要包括两种技术,一种为晶体生长技术,一种为加工技术,在二者支持下才可完善碳化硅单晶材料的制备。晶片加工技术现已成为器件生产中最为重要的保障,任何一种优异特性材料都需单晶片加工技术的支持,从而有效推进器件制备工艺的进步。