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SiC单晶片化学机械研磨试验研究
被引量:
12
1
作者
王庆仓
张晓东
+4 位作者
苏建修
祝伟彪
郗秦阳
朱鑫
裴圣华
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期137-140,146,共5页
目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g...
目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
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关键词
化学机械研磨
研磨液
碳化硅单晶片
材料去除率
表面质量
下载PDF
职称材料
题名
SiC单晶片化学机械研磨试验研究
被引量:
12
1
作者
王庆仓
张晓东
苏建修
祝伟彪
郗秦阳
朱鑫
裴圣华
机构
西南石油大学机电工程学院
河南科技学院机电学院
吉安职业技术学院机电工程学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期137-140,146,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51075125)~~
文摘
目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
关键词
化学机械研磨
研磨液
碳化硅单晶片
材料去除率
表面质量
Keywords
chemical mechanical lapping
grinding liquid
SiC single crystal wafer
material removal rate
surface quality
分类号
TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC单晶片化学机械研磨试验研究
王庆仓
张晓东
苏建修
祝伟彪
郗秦阳
朱鑫
裴圣华
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
12
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