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镍及镍合金—碳化硅复合电镀
1
作者
谭奇贤
《电镀与精饰》
CAS
2002年第6期35-35,共1页
关键词
镍
镍
合金
-
碳化硅
复合电镀
硫酸镍
硼酸
磷酸
下载PDF
职称材料
C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
被引量:
1
2
作者
王引书
李晋闽
+2 位作者
王玉田
王衍斌
林兰英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期979-984,共6页
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入...
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速热退火工艺有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .离子注入的 C原子在空间分布不均匀 ,退火过程中将形成应变不同的 Si1 - x-Cx 合金区域 .
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关键词
离子注入
损伤缺陷
应变分布
碳化硅合金
下载PDF
职称材料
Density of Electron States and Volume of Solution of Hydrogen in SiC Alloys
被引量:
1
3
作者
Juana L. Gervasoni
Juan C. Furnari
《Journal of Energy and Power Engineering》
2014年第2期390-393,共4页
关键词
碳化硅合金
电子态密度
氢解
废物最小化
半导体材料
高温条件
反应堆
核燃料
下载PDF
职称材料
不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
4
作者
王引书
李晋闽
+2 位作者
金运范
王玉田
林兰英
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期2210-2213,共4页
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺...
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 .
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关键词
离子注入
固相外延
碳
硅单晶
碳化硅合金
原文传递
题名
镍及镍合金—碳化硅复合电镀
1
作者
谭奇贤
出处
《电镀与精饰》
CAS
2002年第6期35-35,共1页
关键词
镍
镍
合金
-
碳化硅
复合电镀
硫酸镍
硼酸
磷酸
分类号
TQ153.12 [化学工程—电化学工业]
TQ153.2 [化学工程—电化学工业]
下载PDF
职称材料
题名
C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
被引量:
1
2
作者
王引书
李晋闽
王玉田
王衍斌
林兰英
机构
北京师范大学物理系
中国科学院半导体研究所
中国科学院近代物理研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期979-984,共6页
文摘
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速热退火工艺有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .离子注入的 C原子在空间分布不均匀 ,退火过程中将形成应变不同的 Si1 - x-Cx 合金区域 .
关键词
离子注入
损伤缺陷
应变分布
碳化硅合金
Keywords
Si 1-x C x alloy
ion implantati on
damage defects
strain distribution
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Density of Electron States and Volume of Solution of Hydrogen in SiC Alloys
被引量:
1
3
作者
Juana L. Gervasoni
Juan C. Furnari
机构
Centro At
Centro Atomico Ezeiza
出处
《Journal of Energy and Power Engineering》
2014年第2期390-393,共4页
关键词
碳化硅合金
电子态密度
氢解
废物最小化
半导体材料
高温条件
反应堆
核燃料
Keywords
Hydrogen, volume of solution, electronic states.
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
4
作者
王引书
李晋闽
金运范
王玉田
林兰英
机构
北京师范大学物理系
中国科学院半导体研究所
中国科学院近代物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期2210-2213,共4页
文摘
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 .
关键词
离子注入
固相外延
碳
硅单晶
碳化硅合金
Keywords
Si 1-x C x alloy, ion implantation, solid phase epitaxy
分类号
O73 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
镍及镍合金—碳化硅复合电镀
谭奇贤
《电镀与精饰》
CAS
2002
0
下载PDF
职称材料
2
C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
王引书
李晋闽
王玉田
王衍斌
林兰英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
3
Density of Electron States and Volume of Solution of Hydrogen in SiC Alloys
Juana L. Gervasoni
Juan C. Furnari
《Journal of Energy and Power Engineering》
2014
1
下载PDF
职称材料
4
不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
王引书
李晋闽
金运范
王玉田
林兰英
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
原文传递
已选择
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