高频红外碳硫分析仪测定含碳化硅耐火材料中碳化硅含量

采用对试样进行灼烧预处理的方法,除去游离碳,用锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂,并以钢铁标准样品校正仪器,高频燃烧红外吸收法测定含碳化硅耐火材料中的碳化硅含量,测定结果的相对标准偏差为1.07%(n=6),该法与化学法的测定结果较接近,精密度和准确度均满足化学分析的要求。

出口碳化硅砖中碳化硅含量测定方法的探讨

近年来连云港口岸出口碳化硅砖或球较多,输出到日本和韩国等国家。碳化硅砖是碳化硅细结晶和水泥按一定比例加工制成,主要用途是代替碳化硅作为炼钢等冶金脱氧剂。因为碳化硅砖是具有一定尺寸、重量、粒度的块状或球状物,所以不仅使用方便。

SiC含量对铝基复合材料性能的影响

SiC增强铝基复合材料因具有高比强度、高导热与高耐磨等性能而被广泛应用于航空航天、电子封装与交通运输等领域。本文采用热压烧结法制备了SiC颗粒增强铝基复合材料,研究SiC含量对铝基复合材料微观组织及力学性能的影响。用X射线衍射、阿基米德排水法、洛氏硬度分析与三点抗弯法测定试样的物相组成、表观密度与力学性能,用SEM分析试样微观形貌,用激光闪射法测定导热系数。研究结果表明,随SiC颗粒体积分数从0%增加到60%,试样的硬度先增大后降低,在SiC体积分数为50%时达最大值,为90 HRB。试样的导热率先增加后降低,在SiC体积分数为30%时达到最大值,为324.05 W/(m·K)。随SiC体积分数增加,金属基体与增强体结合紧密,无明显孔隙。当SiC体积分数增加到60%,试样孔隙率增加,致密度降低,强度下降。

红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量

采用红外碳硫仪测定耐火材料中碳化硅的含量,选用多元助熔剂(LHDY01),缩短了操作时间,测定结果的相对标准偏差小于1.0%(n=8)。用该方法对两种碳化硅耐火材料样品进行测定,测定结果分别为16.16%,15.64%,与化学法测定结果 (15.99%,15.38%)相符合。该方法的精确度满足化学分析要求。

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高含量碳化硅表面6种杂质成分

碳化硅是应用最广泛、最经济的一种耐火原料,由于碳化硅贸易活跃,需要对表面杂质成分进行快速、准确的测定。样品采用氢氟酸、硝酸溶解,高氯酸冒烟至近干,再使用盐酸溶解可溶性盐类,通过过滤使得被测成分与碳化硅分离,选择Fe 259.939nm、Al 394.401nm、Ca317.933nm、Mg 285.213nm、K 766.490nm、Na 589.592nm为分析谱线,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,从而建立了使用ICPAES测定高含量碳化硅表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠等杂质成分的方法。铁在0.020%~0.50%,铝、钙在0.020%~0.20%,镁、氧化钾、氧化钠在0.0020%~0.020%范围内校准曲线呈线性,线性相关系数均不小于0.999 8。方法检出限为0.000 042%~0.000 64%(质量分数)。实验方法用于测定碳化硅样品表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,结果的相对标准偏差(RSD,n=10)为1.9%~9.5%。按照实验方法测定碳化硅样品表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,测定值与国家标准方法的测定结果相吻合。

钎焊文献

SiC添加对W/AgCuTi/Cu钎焊接头组织与力学性能的影响/王刚,等.焊接学报,2023,44(5):55-61.摘要:为研究碳化硅(SiC)添加对缓解钨-铜钎焊接头残余应力的作用效果及机理,采用真空钎焊技术获得不同碳化硅含量(质量分数为0~20%)的W/SiCAgCuTi/Cu钎焊接头,分析焊接接头组织演变及剪切性能变化规律。结果表明,随着SiC含量的增加,钎焊接头剪切强度先提升后降低。

反应熔渗工艺制备的C/C-SiC复合材料烧蚀性能及构件研制

采用反应熔渗工艺(RMI)快速制备了不同碳化硅含量的C/C-SiC复合材料,通过氧-乙炔烧蚀试验,测试了材料的烧蚀性能。利用SEM/EDS表征了复合材料烧蚀后的表面形貌和成分,分析了碳化硅含量对复合材料烧蚀性能的影响。结果表明,随着基体中碳化硅含量的提高,烧蚀过程中生成的二氧化硅保护膜更加致密,导致C/C-SiC复合材料的烧蚀率逐渐降低。在此基础上,利用优化工艺制备了密度均匀的大尺寸C/C-SiC构件,经过地面热试车考核,构件接近零烧蚀,满足发动机热试车的应用。

微米级SiC/Ni-Co-P复合镀层的制备及影响因素

对微米级SiC/Ni-Co-P复合镀层用作代铬镀层进行了研究。采用恒电流沉积的方法在钢片上成功制备了微米级SiC/Ni-Co-P复合镀层。采用单因素实验分别讨论电镀液组成对镀层宏观形貌、微观形貌、复合量、硬度等的影响,获得硬度(HV)为646.11的微米级SiC/Ni-Co-P复合镀层;研究了不同表面处理的微米级SiC对镀层形貌及微粒复合量的影响,结果显示,表面强负电性的微米级SiC参与电镀得到的微米级SiC/Ni-Co-P复合镀层,表面微裂纹少且更加平整无孔隙,微粒含量较表面带正电性和弱电性的SiC更高。探究了微米级SiC通过电沉积的方式进入镀层的过程及界面行为,解释了微米级碳化硅表面处理对其进入镀层的影响。