对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小...对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 u A,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22μs短路的能力。以100 k Hz、800 V/7 A下进行开关动作时,Si C SJT与Si C肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64%左右,适合高频工作。展开更多
文摘对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 u A,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22μs短路的能力。以100 k Hz、800 V/7 A下进行开关动作时,Si C SJT与Si C肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64%左右,适合高频工作。
