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4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应 被引量：1
1
作者 童武林 孙玉俊 +2 位作者 刘益宏 赵高杰 陈之战 《上海师范大学学报（自然科学版）》 2015年第4期430-434,共5页
以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正... 以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致. 展开更多
关键词 碳化肖特基二极管 热电子发射 镜像力 隧穿效应 温度
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