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碳基纳电子的新进展 被引量:2
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作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第11期857-864,共8页
集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)... 集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)、射频石墨烯FET(RF GFET)、GFET微波单片集成电路(MMIC)和石墨烯纳带(GNR)基逻辑电路等的发展来由和最新进展;包括碳基半导体特有的材料和工艺关键技术突破,抑制缺陷的新电路设计方法,CNFET与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的三维(3D)集成应用,晶圆规模的石墨烯外延材料制备,洁净石墨烯材料工艺,GFET混频器、放大器、THz探测器和弹道整流器等MMIC的设计与制备,石墨烯柔性电子学,石墨烯双极基逻辑电路的设计与制备,GNR制备以及GNR基逻辑电路的设计等。综述了碳基纳电子各方面的创新点和进步点,以及总体发展态势。 展开更多
关键词 碳基纳电子 纳米管(CNT) 石墨烯 场效应晶体管(FET) 射频电子 柔性电子 微波单片集成电路(MMIC) 太赫兹(THz) 逻辑电路
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碳基纳电子材料与器件 被引量:5
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作者 彭练矛 张志勇 +1 位作者 王胜 梁学磊 《中国科学:技术科学》 EI CSCD 北大核心 2014年第10期1071-1086,共16页
现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体)技术.经过半个世纪奇迹般的发展,硅基CMOS技术即将进入14 nm技术节点,并将在2020... 现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体)技术.经过半个世纪奇迹般的发展,硅基CMOS技术即将进入14 nm技术节点,并将在2020年之前达到其性能极限,后摩尔时代的纳电子科学与技术的研究变得日趋急迫.目前包括IBM在内的很多企业认为,微电子工业走到8 nm技术节点时可能不得不面临放弃继续使用硅作为支撑材料,之后非硅基纳电子技术的发展将可能从根本上影响到未来芯片和相关产业的发展.在为数不多的几种可能的替代材料中,碳基纳米材料——特别是碳纳米管和石墨烯,被公认为是最有希望替代硅的材料.北京大学碳电子研究团队最新研究结果表明,在14 nm技术节点碳纳米管晶体管的速度和功耗均较硅基器件有10倍以上的优势,进入亚10 nm技术节点后这种优势还将继续加大.2013年9月,美国斯坦福大学研究组在《自然》杂志以封面文章的形式报道制造出了世界上首台碳纳米管计算机.2014年7月1日《MIT技术评论》报道IBM宣布由碳纳米管构成的比现有芯片快5倍的芯片将于2020年之前成型.基于碳纳米管的集成电路技术不再是遥不可及的梦想,现代信息科技与产业的支撑材料正加速从硅到碳进行转变.相较欧美发达国家在2020年之后的非硅基纳米电子学研究领域的巨额投入,我国对非硅基技术尚无布局.为抢占下一代半导体技术战略制高点,建议尽快启动国家碳电子计划,用一个协调的方式来支持包括材料生长、器件制备、模拟和系统设计方面的研究,汇聚优势资源,系统推进碳基信息技术的成型和发展,奠定中国未来的纳电子产业基础. 展开更多
关键词 碳基纳电子技术 电子材料 纳米电子 纳米光电子
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Carbon-based spintronics 被引量:1
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作者 CHEN Peng ZHANG GuangYu 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第1期207-221,共15页
Carbon-based spintronics refers mainly to the spin injection and transport in carbon materials including carbon nanotubes,graphene,fullerene,and organic materials.In the last decade,extraordinary development has been ... Carbon-based spintronics refers mainly to the spin injection and transport in carbon materials including carbon nanotubes,graphene,fullerene,and organic materials.In the last decade,extraordinary development has been achieved for carbon-based spintronics,and the spin transport has been studied in both local and nonlocal spin valve devices.A series of theoretical and experimental studies have been done to reveal the spin relaxation mechanisms and spin transport properties in carbon materials,mostly for graphene and carbon nanotubes.In this article,we provide a brief review on spin injection and transport in graphene,carbon nanotubes,fullerene and organic thin films. 展开更多
关键词 CARBON SPINTRONICS spin injection spin transport spin valve
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