等离子体沉积碳氟聚合物薄膜的纳米摩擦性能研究

利用原子力显微镜研究了感应等离子体刻蚀加工过程中单晶硅表面形成的不同厚度的碳氟聚合物薄膜的纳米摩擦特性,并针对几种不同的摩擦模式探讨了原子力显微镜探针在不同厚度的碳氟聚合物薄膜表面的摩擦行为.结果表明,同硅基体相比,聚合物薄膜的摩擦力信号明显较弱,薄膜的纳米摩擦特性同其厚度密切相关;碳氟聚合物薄膜在同Si3N4针尖接触过程中可向针尖表面转移,从而对针尖起修饰作用,以减轻微观摩擦磨损.

一种新型厌水性碳氟聚合物薄膜的制备

利用ICP-CVD工艺制备出一种新型厌水性碳氟聚合物薄膜,并给出了制备薄膜的工艺参数。通过观测该薄膜的表面形貌和它与去离子水之间的接触角,结果表明,该薄膜均匀致密。

ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究

在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。