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ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究
被引量:
1
1
作者
岳瑞峰
曾雪锋
+2 位作者
吴建刚
康明
刘理天
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期168-171,共4页
在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为40...
在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。
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关键词
碳氟聚合物薄膜
疏水性
感应耦合等离子体化学气相淀积
化学键结构
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职称材料
题名
ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究
被引量:
1
1
作者
岳瑞峰
曾雪锋
吴建刚
康明
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期168-171,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.10472055)
清华大学基础研究基金资助项目(No.JC2003060)
文摘
在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。
关键词
碳氟聚合物薄膜
疏水性
感应耦合等离子体化学气相淀积
化学键结构
Keywords
Fluorocarbon polymer film, Hydrophobicity, ICP-CVD, Bonding configuration
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究
岳瑞峰
曾雪锋
吴建刚
康明
刘理天
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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