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碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测
1
作者
万永中
张剑云
+2 位作者
刘志杰
张卫
王季陶
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期604-609,共6页
首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中...
首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据.
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关键词
金刚石
薄膜
热力学
卤素
碳氢氯体系
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职称材料
题名
碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测
1
作者
万永中
张剑云
刘志杰
张卫
王季陶
机构
复旦大学
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期604-609,共6页
基金
国家自然科学基金!59772029
863计划新材料领域资助
文摘
首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据.
关键词
金刚石
薄膜
热力学
卤素
碳氢氯体系
Keywords
diamond, film, thermodynamics, halogen
分类号
TN304.17 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测
万永中
张剑云
刘志杰
张卫
王季陶
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
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职称材料
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