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基于碳纳米管阵列的高响应光电探测器件
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作者 张勇 杨扬 +3 位作者 章灿然 陶晖 王琦龙 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期F0003-F0003,共1页
纳米管(Carbon nanotube,CNT)具有纳米级特征尺寸、独特的一维能带结构、极大的比表面积和多种排布形态,吸收波长覆盖太赫兹至紫外波段,吸收率高;半导体型单壁碳纳米管拥有直接带隙,禁带宽度随手性不同在0.1 eV至1 eV以上均有分布,可实... 纳米管(Carbon nanotube,CNT)具有纳米级特征尺寸、独特的一维能带结构、极大的比表面积和多种排布形态,吸收波长覆盖太赫兹至紫外波段,吸收率高;半导体型单壁碳纳米管拥有直接带隙,禁带宽度随手性不同在0.1 eV至1 eV以上均有分布,可实现室温弹道输运,是构建片上高响应、超宽带、超快可调光电探测器件的新型潜力材料。南京电子器件研究所采用高纯度半导体型碳纳米管阵列材料设计制备了多种红外—光电探测器件,其中叉指型光电探测器件通过缩短电极间距降低渡越时间提高响应速度、构造功函数不同的非对称电极促进光生空穴—电子对分离提高响应度、增加栅控有效调控多数载流子降低暗电流,实现了300 A/W以上的优异响应度,响应时间<30μs。进一步联合东南大学,首次在碳纳米管光电探测器件中引入硅光波导与金属狭缝结构,激发等离激元局域光场增强与耦合,在1550 nm通信波段获得高响应特性,3dB带宽达15GHz。未来通过构建异质结及叠层结构,有望进一步降低暗电流,并开发取向阵列的偏振敏感特性,助力碳基电子学及光电子学的应用发展。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 单壁碳纳米管 多数载流子 光电子学 响应度 渡越时间 叠层结构 等离激元
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生长条件参数对碳纳米管阵列定向性的影响
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作者 樊元东 马康夫 +3 位作者 李斌 魏汝省 张辰宇 张馨丹 《磁性材料及器件》 CAS 2023年第4期19-24,共6页
采用化学气相沉积法(CVD)制备出了结构可控的碳纳米管阵列,并对其定向性进行了系统研究。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和结构进行了表征。结果发现碳纳米管阵列的石墨化程度及定向性受催化剂浓度、生长基底... 采用化学气相沉积法(CVD)制备出了结构可控的碳纳米管阵列,并对其定向性进行了系统研究。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和结构进行了表征。结果发现碳纳米管阵列的石墨化程度及定向性受催化剂浓度、生长基底位置、载气流速因素影响。结果表明,过低或过高的催化剂浓度以及载气流速都会使得碳纳米管阵列的定向性变差。而生长位置离基底中心越近,碳纳米管阵列的定向性越好。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 化学气相沉积 生长条件参数 定向性
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碳纳米管阵列研究进展 被引量:18
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作者 魏飞 张强 +5 位作者 骞伟中 徐光辉 项荣 温倩 王垚 罗国华 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期271-282,共12页
在介绍CNT阵列性能的基础上,对国内外直接合成CNT阵列的方法进行了评述,重点阐述了各种方法的基本特点及CNT阵列的生长机理、结构控制和批量制备问题。进而探讨了CNT原生阵列、抽丝形成的CNT丝、以及CNT阵列分散后得到的CNTs在复合材料... 在介绍CNT阵列性能的基础上,对国内外直接合成CNT阵列的方法进行了评述,重点阐述了各种方法的基本特点及CNT阵列的生长机理、结构控制和批量制备问题。进而探讨了CNT原生阵列、抽丝形成的CNT丝、以及CNT阵列分散后得到的CNTs在复合材料、力学增强、功能器件等方面的初步应用,展望了CNT阵列的发展趋势,指出低成本、大批量可控制备CNT阵列仍然是未来一段时间内国际研究热点。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 制备 应用
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
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作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子体 化学气相沉积 低温合成 孔性氧化铝模板
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原位反应法制备填充叠氮化铜的碳纳米管阵列 被引量:12
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作者 王燕兰 张方 +3 位作者 张蕾 张植栋 韩瑞山 孙星 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期386-392,共7页
以定向碳纳米管阵列为工作电极,采用电化学沉积法制备填充纳米铜颗粒的碳纳米管阵列,研究不同电沉积参数对碳纳米管填充铜纳米颗粒的影响规律;采用气-固原位反应法获得填充叠氮化铜的碳纳米管含能阵列。采用扫描电镜、X射线衍射仪对填... 以定向碳纳米管阵列为工作电极,采用电化学沉积法制备填充纳米铜颗粒的碳纳米管阵列,研究不同电沉积参数对碳纳米管填充铜纳米颗粒的影响规律;采用气-固原位反应法获得填充叠氮化铜的碳纳米管含能阵列。采用扫描电镜、X射线衍射仪对填充叠氮化铜的碳纳米管阵列及其前驱体进行结构表征,采用差示扫描量热仪研究其热性能。结果表明:当沉积电流为1 mA和10 mA,可获得填充效果理想的填充有纳米铜的碳纳米管阵列;气固原位反应过程中碳纳米管阵列不与叠氮酸发生反应。在热板点火作用下填充叠氮化铜的碳纳米管阵列可靠起爆。采用兰利法获得其50%电发火能量为3.09 mJ。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 叠氮化铜 电化学沉积 原位反应
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低压下酞菁裂解法制备定向碳纳米管阵列 被引量:8
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作者 宋海燕 李艳楠 +4 位作者 赵琨 叶晓燕 何品刚 孙卓 方禹之 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1622-1627,共6页
在低压条件下以酞菁铁为原料,采用独立双温控加热系统在石英玻璃基底上气相沉积制备了大面积准直性好和管径均匀的碳纳米管.利用扫描电子显微镜(SEM/FESEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了定向碳纳米管的生长形态和结构.详细讨论了系统真... 在低压条件下以酞菁铁为原料,采用独立双温控加热系统在石英玻璃基底上气相沉积制备了大面积准直性好和管径均匀的碳纳米管.利用扫描电子显微镜(SEM/FESEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了定向碳纳米管的生长形态和结构.详细讨论了系统真空度、反应温度、气体流速及氢气和氩气的体积比例等参数对碳纳米管生长的影响,并测试了该碳纳米管的场发射性能及超电容性能. 展开更多
关键词 定向碳纳米管阵列 裂解法 场发射 超电容
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快速生长超长定向碳纳米管阵列的制备及机理 被引量:6
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作者 何婷 王兵 +2 位作者 王朝阳 付志兵 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1513-1516,共4页
采用一种无模板的化学气相沉积法裂解金属有机物,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置在100min内成功制备了2.7mm超长定向碳纳米管阵列,生长速率高达27μm.min-1。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱对定向碳... 采用一种无模板的化学气相沉积法裂解金属有机物,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置在100min内成功制备了2.7mm超长定向碳纳米管阵列,生长速率高达27μm.min-1。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱对定向碳纳米管阵列进行形貌观察和表征,结果表明:制得的碳纳米管阵列具有优越的定向性和管结构,并且石墨化程度高。给出了快速生长超长定向碳纳米管阵列的优化制备条件,结合表征结果讨论了碳纳米管阵列的生长机制,认为超长碳纳米管阵列采用的是一种催化剂固定不动的开口生长方式,碳源和催化剂的连续供应保证了超长碳纳米管阵列的快速生长。 展开更多
关键词 定向 碳纳米管阵列 快速生长 机制 化学气相沉积
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多壁碳纳米管阵列电极的循环伏安行为 被引量:6
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作者 何春建 薛宽宏 +3 位作者 陈巧玲 沈伟 陶菲菲 邵颖 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期627-630,F003,共5页
用化学气相沉积法在多孔氧化铝模板中沉积有序碳纳米管阵列并制成电极。由循环伏安法实验得知,扩散控制电位下的电活性离子难以常规的扩散速度到达碳纳米管的内壁深处,绝大部分的碳纳米管内壁面积在这样的实验条件下未能充分利用,但临... 用化学气相沉积法在多孔氧化铝模板中沉积有序碳纳米管阵列并制成电极。由循环伏安法实验得知,扩散控制电位下的电活性离子难以常规的扩散速度到达碳纳米管的内壁深处,绝大部分的碳纳米管内壁面积在这样的实验条件下未能充分利用,但临近管口处的一部分内壁对扩散有一定的贡献。对于电极/电解质界面的双电层电容而言,碳纳米管的所有内壁都有所贡献,其电容量可达68 7mF·cm-2(表观面积),表明碳纳米管电极具有制作超级电容器的重要应用价值。 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 阵列电极 循环伏安行为 碳纳米管阵列 超级电容器
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SBA-16薄膜内生长碳纳米管阵列及其Fe的填充 被引量:4
9
作者 史克英 季春阳 +2 位作者 辛柏福 徐敏 付宏刚 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第22期2270-2272,共3页
以表面活性剂F 12 7、导电玻璃 (ITO)为基底制备了三维体心立方结构 (Im3 — m)的介孔SBA 16膜 .该膜的 ( 111)晶面垂直于ITO基底 .采用电化学沉积技术将少量Fe沉积进入SBA 16膜的孔底 ,沉积Fe后的SBA 16膜于 70 0℃下乙炔裂解生长碳纳... 以表面活性剂F 12 7、导电玻璃 (ITO)为基底制备了三维体心立方结构 (Im3 — m)的介孔SBA 16膜 .该膜的 ( 111)晶面垂直于ITO基底 .采用电化学沉积技术将少量Fe沉积进入SBA 16膜的孔底 ,沉积Fe后的SBA 16膜于 70 0℃下乙炔裂解生长碳纳米管 ,在SBA 16膜 (孔 )内生长直径均匀、间距相等的开口碳纳米管阵列 .采用二次电沉积法可以制备高度有序的填充Fe的碳纳米管阵列 . 展开更多
关键词 SBA—16分子筛薄膜 碳纳米管阵列 电化学沉积 单晶结构 纳米电子器件
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银纳米粒子修饰三维碳纳米管阵列SERS实验 被引量:4
10
作者 张晓蕾 张洁 +2 位作者 范拓 任文杰 赖春红 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2444-2448,共5页
为了使表面增强拉曼散射(SERS)基底的三维聚焦体积内包含更多的'热点',能吸附更多探针分子和金属纳米颗粒,以便获得更强的拉曼光谱信号,提出了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构作为SERS基底,并对其进行了实验... 为了使表面增强拉曼散射(SERS)基底的三维聚焦体积内包含更多的'热点',能吸附更多探针分子和金属纳米颗粒,以便获得更强的拉曼光谱信号,提出了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构作为SERS基底,并对其进行了实验研究。利用化学气相沉积(CVD)方法制备了垂直排列的碳纳米管阵列;采用磁控溅射镀膜方法先在碳纳米管阵列上形成一层银膜,再通过设置不同的高温退火温度,使不同粒径的银纳米粒子沉积在垂直有序排列碳纳米管阵列的表面和外壁。SEM结果表明:在有序碳纳米管阵列的表面和外壁都均匀地负载了大量银纳米粒子,并且银纳米颗粒的粒径、形貌及颗粒间的间距随退火温度的不同而不同。采用罗丹明6G(R6G)分子作为探针分子,拉曼实验结果表明:R6G浓度越高,拉曼强度越强,但是R6G浓度的增加与拉曼强度增强并不呈线性变化;退火温度为450℃,银纳米颗粒平均粒径在100~120nm左右,退火温度为400℃,银纳米颗粒平均粒径在70nm左右,退火温度为450℃的拉曼信号强度优于退火温度400和350℃。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射 碳纳米管阵列 纳米粒子 磁控溅射
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碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性 被引量:3
11
作者 张琦锋 于洁 +4 位作者 宋教花 张耿民 张兆祥 薛增泉 吴锦雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期409-413,共5页
运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4~5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm... 运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4~5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm-1,表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像,发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 气相沉积 制备 场发射特性 屏蔽效应
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碳纳米管阵列应用于热界面材料的研究进展 被引量:8
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作者 陈宏源 周振平 李清文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1-6,共6页
介绍与评价了近年来用于改善作为热界面材料(TIM)的碳纳米管阵列性能的方法,探讨了碳纳米管阵列形貌、缺陷状态、界面处理和固化材料引入对碳纳米管阵列导热性能的影响,总结了其在热界面材料领域应用所需要具备的条件,即能够作为热界面... 介绍与评价了近年来用于改善作为热界面材料(TIM)的碳纳米管阵列性能的方法,探讨了碳纳米管阵列形貌、缺陷状态、界面处理和固化材料引入对碳纳米管阵列导热性能的影响,总结了其在热界面材料领域应用所需要具备的条件,即能够作为热界面材料的碳纳米管阵列必须满足形貌合适、缺陷较少、一定程度复合、接触界面热阻低、封装工艺合理等一系列要求。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 热界面材料 大功率电子器件 应用
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可用至3.5V的碳纳米管阵列超级电容器 被引量:5
13
作者 张浩 曹高萍 +3 位作者 杨裕生 顾镇南 徐斌 张文峰 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期117-120,共4页
应用化学气相沉积在钽片和不锈钢片表面直接生长碳纳米管阵列(CNTA)制备超级电容器电极,并分别作正、负极组装有机体系扣式电容器.扫描电子显微镜、循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗表征、测试材料的微观形貌和电化学性能.结果表明,该... 应用化学气相沉积在钽片和不锈钢片表面直接生长碳纳米管阵列(CNTA)制备超级电容器电极,并分别作正、负极组装有机体系扣式电容器.扫描电子显微镜、循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗表征、测试材料的微观形貌和电化学性能.结果表明,该电容器可获得高达3.5 V的工作电压,较长的循环寿命,较好的倍率性能.基于CNTA质量的比功率和比能量性能分别为928 kW.kg-1和19 Wh.kg-1. 展开更多
关键词 超级电容器 碳纳米管阵列 电化学性能
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超长定向含铁多壁碳纳米管阵列的制备 被引量:3
14
作者 张继成 马康夫 +4 位作者 付志兵 周民杰 李佳 吴卫东 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1161-1165,共5页
采用无模板化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置制备了定向碳纳米管阵列。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪等对定向碳纳米管阵列的形貌、成分和物相进行细致的分析和表征。结... 采用无模板化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置制备了定向碳纳米管阵列。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪等对定向碳纳米管阵列的形貌、成分和物相进行细致的分析和表征。结果表明:制得的碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,并且石墨化程度高;碳纳米管中除碳元素外,管中包含有少量以纳米颗粒和纳米线形式存在的铁及其化合物,主要成分是铁和碳化铁。结合碳纳米管的制备和透射电子显微镜分析表征结果,认为超长碳纳米管阵列的生长模式为底部生长方式,即经历催化剂分解、催化、成核、长大、中毒、凝聚成粒和连接成线的循环过程,正是由于碳源和催化剂的连续供应促成了碳纳米管阵列的快速定向生长。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 快速生长 生长机制 化学气相沉积
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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量:4
15
作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 热丝射频等离子体复合化学气相沉积 旋涂法
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基于单壁碳纳米管阵列的力敏传感器 被引量:3
16
作者 唐一科 郑富中 +2 位作者 周兆英 杨兴 吴英 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第18期13-17,共5页
利用传统的硅微加工技术,在硅片上制作出平行的微电极对,然后对硅片进行深刻蚀穿通,在微电极对之间获得长方形的贯通缝。接着利用大气流定向式的化学气相沉积方法在带有贯通缝与微电极的硅片上生长出超长单壁碳纳米管阵列,使单壁碳纳米... 利用传统的硅微加工技术,在硅片上制作出平行的微电极对,然后对硅片进行深刻蚀穿通,在微电极对之间获得长方形的贯通缝。接着利用大气流定向式的化学气相沉积方法在带有贯通缝与微电极的硅片上生长出超长单壁碳纳米管阵列,使单壁碳纳米管阵列较整齐地悬于平行电极对之间,待将生长有纳米管的硅片粘在聚氯乙稀薄板上之后,再用激光技术切除掉贯通缝的连接部分,使作用于聚氯乙稀薄板上的力能够直接传递到单壁碳纳米管阵列。引出导线,完成此微纳力敏传感器件的制作。随后主要开展悬空单壁碳纳米管阵列应变传感方面的研究,获得了较高的压阻因子与线性度。结果表明这种制作方法具有过程简单、成本低等特点,为基于碳纳米管的微纳传感器件的制作提供新的思路。 展开更多
关键词 化学气相沉积 悬空单壁碳纳米管阵列 应变传感 微纳传感器件
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采用旋转涂膜法制备基底生长的定向碳纳米管阵列 被引量:3
17
作者 关峰 王朝阳 +1 位作者 唐永建 闫红梅 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1909-1912,共4页
采用化学气相沉积技术,利用旋转涂膜法制备催化剂基底材料,通过对涂膜过程中的角速度、旋转时间以及基底还原过程中温度的控制改变催化剂颗粒的分布状态,获得了粒径均匀分布的催化剂基底,该基底上催化剂颗粒集中分布在47-62nm区间... 采用化学气相沉积技术,利用旋转涂膜法制备催化剂基底材料,通过对涂膜过程中的角速度、旋转时间以及基底还原过程中温度的控制改变催化剂颗粒的分布状态,获得了粒径均匀分布的催化剂基底,该基底上催化剂颗粒集中分布在47-62nm区间,再利用该基底生长出定向碳纳米管阵列。运用扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱仪对样品进行了表征。结果表明旋转涂膜法制备的基底平整性好于普通的滴膜法,且较其它基底制备方法具有简单易控、可使催化剂均匀分散等特点。利用该基底制备的碳纳米管阵列定向性良好。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 基底 旋转涂膜 化学气相沉积
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银纳米粒子/碳纳米管阵列SERS基底增强因子分析和实验 被引量:2
18
作者 张晓蕾 张洁 +2 位作者 任文杰 赖春红 周海军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1567-1571,共5页
为了直观、准确地定量分析表面拉曼增强散射基底结构的拉曼增强,利用磁控溅射和高温退火的方法制备了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构样品;实验采用罗丹明6G(R6G)溶剂作为探针分子,结合共聚焦显微拉曼系统,开展了表... 为了直观、准确地定量分析表面拉曼增强散射基底结构的拉曼增强,利用磁控溅射和高温退火的方法制备了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构样品;实验采用罗丹明6G(R6G)溶剂作为探针分子,结合共聚焦显微拉曼系统,开展了表面增强拉曼增强因子(EF)分析计算的相关实验。SEM结果表明:在有序碳纳米管阵列的表面和外壁均匀地负载了大量银纳米粒子。对退火温度为450℃,退火时间为30min的样品进行了EF计算,得到其增强因子约为2.2×103,并分析了EF值低的原因主要是:在碳纳米管上溅射的银膜膜厚不均匀,导致退火后银颗粒分布不均,使得样品粗糙度值偏大,EF值较低;实验中所用的激励光源并非银纳米颗粒的优化光源。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射 碳纳米管阵列 纳米粒子 增强因子
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碳纳米管阵列储氢的物理吸附特性 被引量:2
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作者 程锦荣 戴磊 +2 位作者 赵敏 丁锐 黄德财 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第6期32-36,共5页
采用巨正则蒙特卡罗方法,在室温、100大气压下对以方阵和三角方式排列的碳纳米管阵列的物理吸附储氢进行计算机模拟,发现氢分子可被吸附于碳纳米管阵列的管内和管外,管外的储氢密度普遍高于管内,方阵阵列优于三角阵列,并给出了相应的理... 采用巨正则蒙特卡罗方法,在室温、100大气压下对以方阵和三角方式排列的碳纳米管阵列的物理吸附储氢进行计算机模拟,发现氢分子可被吸附于碳纳米管阵列的管内和管外,管外的储氢密度普遍高于管内,方阵阵列优于三角阵列,并给出了相应的理论解释。 展开更多
关键词 方阵 氢分子 巨正则蒙特卡罗方法 物理吸附 排列 碳纳米管阵列 大气压 储氢 室温
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酞菁裂解法制备定向碳纳米管阵列及其场发射性能研究(英文) 被引量:2
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作者 宋海燕 叶晓燕 +4 位作者 李艳楠 单志超 何品刚 孙卓 方禹之 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期682-686,共5页
碳纳米管作为一种新型的光电材料有着广泛的应用,可用于平板显示器中的电子发射器件。定向碳纳米管阵列是碳纳米管的一种取向形态,具有其独特的性质。与缠绕无序的碳纳米管相比,定向碳纳米管更易分散、测量和应用。文章在低压条件下采... 碳纳米管作为一种新型的光电材料有着广泛的应用,可用于平板显示器中的电子发射器件。定向碳纳米管阵列是碳纳米管的一种取向形态,具有其独特的性质。与缠绕无序的碳纳米管相比,定向碳纳米管更易分散、测量和应用。文章在低压条件下采用酞菁铁高温裂解法,在800~1000℃,以石英玻璃为基底,制备了大面积高度定向的碳纳米管。通过SEM和TEM对定向碳纳米管的结构进行分析。结果表明该法制备的碳纳米管长20μm,管径40~70nm,为竹节状结构的多壁碳纳米管。实验中发现系统真空度和生长温度都对定向碳纳米管生长有影响。通过对该碳纳米管进行场发射测试,结果表明此定向碳纳米管的开启电压仅为0.67V.μm-1(I=1μA),阈值电压为2.5V.μm-1,具有良好的场发射性能。 展开更多
关键词 定向碳纳米管阵列 高温裂解 场发射
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