碳化硅基器件碳膜保护层的制备与研究

碳膜沉积工艺是集成电路碳化硅器件制造过程中一道关键工艺,通过在碳化硅表面沉积碳膜,有效防止碳化硅器件在高温退火后的表面荒化,避免器件失效。通过磁控溅射法在碳化硅基底上制备碳膜,探索不同的参数对碳膜的影响,得到了表面光滑、均匀性小于2%的碳膜。通过表征,证实碳膜与碳化硅基底有很好的结合力,在实际生产中沉积的碳膜对碳化硅器件起到了保护作用,有效地保证了产品良率。