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碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能 被引量：2
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作者 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期250-254,共5页
利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了... 利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析;FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482,806和1095cm-1)和1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438nm荧光峰. 展开更多
关键词 SiOx(x≤2)纳米线 碳辅助cvd方法 FTIR光谱 光致发光
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