氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1

荷能离子在C_(60)薄膜中引起的辐照效应

用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应 .分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的 .在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和 1 71 .2 Me V的 S离子 )辐照的情况下 ,电子能损起主导作用 .发现在 H离子辐照过程中 ,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向非晶态转变的过程中 ,经历了一个石墨化的中间过程 ;而在 S离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,因此 ,在 C60 由晶态向非晶态转变的过程中 。

C_(60)薄膜的热处理性能研究

通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ６０分子全部分解，这一研究结果对解释Ｃ６０分子促进金刚石成核将起到重要作用．

室温和液氮温度Si基底C60薄膜的微观结构与光学特性比较研究

在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜更均匀,颗粒更细,光学吸收峰位置出现蓝移且在整个光频范围吸收增强。

氩气氛下制备的C_(60)薄膜的形貌、结构和光学性质

用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 可见光谱 (UV/VIS)研究了在氩 (Ar)气氛下制备的C60 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60 薄膜。与真空中制备的C60 薄膜比较 ,所研究薄膜的红外谱没有变化 ,但X射线衍射表明其结构从面心立方 (fcc)相变成fcc相与六角密堆(hcp)相的混合相。AFM表明 ,在Ar气氛中制备的C60 薄膜有较大的表面粒子 ,并且表面生长岛更尖锐。这将有利于C60 薄膜的场电子发射。

掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。

C_(60)薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成

用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压．采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件。

研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管

佐治亚理工大学的研究者采用碳60薄膜利用常温工艺成功制造出高性能场效应晶体管，碳60也称为富勒烯。该场效应晶体管可以应用在显示器、有源电子广告牌、RFID标签以及其他需要柔性基底的应用中。

快离子在C_(60)薄膜中电子能损效应

用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的情况下 ,发现电子能损有明显的退火效应 ,致使C60 晶态→非晶态转变过程中 ,经过一个石墨化的中间过程 .而在S9+离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,不存在石墨化的中间过程 .

低能离子在C_(60)薄膜中引起的辐照效应

用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程．而在Ｈ离子辐照的情况下，电子能损起主导作用，并发现在Ｈ离子辐照过程中，电子能损有明显的退火效应，致使由晶态向非晶态转变的过程中，经历了一个石墨化的中间过程。