XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验，以及对组成元素的XPS光电子能谱分析，证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。

磁光介质波导中非互易边导模的研究

首次从理论上证明了非互易光边导模的存在，研究了它的传输特性，给出了其存在条件，为光非互易器件的集成化发展提供了新途径．

电磁波在磁光介质磁畴壁的传播特性分析

为了进一步研究电磁波在磁光介质中的传播。文中先从理论上分析了磁光介质磁畴壁处的单向模特性,然后通过基于时域有限差分法的软件模拟电磁波从一种磁光介质磁畴壁进入另一种磁光介质的磁畴壁的传输情况。发现外磁场的调控对电磁波在磁畴壁处的传播产生极大影响。

磁光介质

先学介质现在可有三种主要规格：光盘、光带和光卡。在这三种规格之中，光盘占有压倒的优势；光盘的直径最大可到１４英寸，小到新的索尼小型光盘直径只有２．５英寸。光学介质也存在着三个种类，它们是只读存储器（ＲＯＭ）、一次写入多次读出存储器（ＷＯＲＭ）和可重写存储器。现在还出现了在单一的基底上含有不止一种介质的混合介质。

磁光型记录介质疲劳特性研究

本文对单层结构和多层结构磁光型记录介质的疲劳特性进行研究 ,并对记录介质化学稳定性、记录介质循环擦写后记录磁畴物理特性及磁光记录动态特性载噪比和误码率进行分析 。

稀土-过渡金属磁光介质膜的理论与特性

本文讨论了稀土-过渡金属(以下简写为 RE-TM)非晶合金膜用作磁光记录介质的理论和 TbFeCo 膜的特性。采用射频溅射技术制备出 TbFeCo 非晶垂直磁化膜。膜的垂直各向异性常数K_u 为2.94×10^(5J)/m^3,克尔旋转角θ_k 为0.24-0.29°。得到了θ_k 随过渡金属 Co 含量而变化的曲线。当 Co 在 TM 次网络中含量达50%时,θ_k 有最大值0.29°。在膜被复盖一层 SiO_2或 AlN 之后,θ_k 从0.29°提高到0.55°或1.48°。(TbFeCo+AlN)膜的θ_k 达到1.48°这样高的值,尚未见文献报导。这种膜可以直接用作磁光记录介质。

超分辨近场结构光磁混合存储介质的温度场模拟

为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟。计算中采用的光磁混合记录介质膜层结构为C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/Co75Cr15Pt10(30 nm)。当写入温度为550 K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加。当激光功率从3.9 mW增至6.9 mW时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的1/4。

磁光存储介质的研究

从硬磁盘的存储出发讨论了磁光存储的现状和未来发展。分析了第一代、第二代磁光存储介质的理论和应用的研究状况 ,说明磁和磁光存储在信息存储中的应用潜力。

磁光存储及其介质的研究

简要讨论了磁光存储的原理,论述了磁光存储介质的共性及其实用化所必须具备的性能。

几种新型结构光纤隔离器

简要介绍了光纤隔离器的原理及其在光通信中的应用。着重分析讨论了几种新型光纤光隔离器的原理,结构及性 能。总结了光纤隔离器的发展现状,探讨了光纤隔离器的发展前景及方向。

一种新型多层膜结构的法拉第旋转器

采用多层薄膜结构的特殊结构 ,在稳恒磁场中可达到较大的旋转角度 ,可用于制作光隔离器用法拉第旋转器 .通过特征矩阵的办法可对其传输特性进行计算 ,并由此推导出几种可行的结构 ,厚度只有数 1 0μm,插入损耗约 0 .5 d B.

克尔磁光效应的经典理论分析

本文引入与自旋-轨道相互作用等有关的有效场概念,运用经典电磁场理论,推导了磁光克尔旋转的明确表达式.证明了各种磁光介质的极向克尔旋转θ_k的实部θ′_k和虚部θ″_k均与有效场H_i成正比,在铁磁性介质中近似与vM成正比,M为磁化强度,在亚铁磁性等介质中近似与(?)v_iM_i成正比,M_i为i次点阵的磁化强度.同时还证明了近似的横向克尔旋转θ_k^t与H_i^2正比;θ_k和θ_k^t的温度特性取决于H_i的温度特性.

其它

O436.4 96010064用量糖计改装的法拉第磁光效应实验装置[刊,中]/金恩培,潘金,薛洪福(哈尔滨工业大学物理系.黑龙江,哈尔滨(150001))∥大学物理.—1995,14(7).—30—31。

用“分子眼睛”看计算机的机器语言二进制

以磁光存储介质为例,从分子环流入手,介绍磁畴形成的微观机制,并结合热磁光存储介质薄膜的制备技术与薄膜的微结构阐述计算机的机器语言二进制的微观本质;即从热磁光存储材料的角度,二进制机器语言中的基本素数"1"和"0"对应于磁光存储薄膜材料中磁畴磁矩的空间取向:向上和向下,或磁畴中总的分子环流的绕行方向:顺时针和逆时针.文章涉及物理学、材料学和计算机科学等3门学科的知识,体现了不同学科的交叉发展,以及物理学是其他现代科学与技术发展的基础性地位.

动态法拉第效应及其损耗机制

在磁光介质中，法拉第磁光效应的动态特性与静态特性具有明显的差别．交变法拉第旋转θｔ的实部θ′ｔ恒小于静态法拉第旋转θｓ的实部θ′ｓ，θ′ｔ＜θ′ｓ，而虚部θ″ｔ＞θ″ｓ．分析（ＢｉＴｍ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２磁光单晶薄膜法拉第效应的测量结果表明，在交流磁场频率ω＞１０４Ｈｚ的高频区域，θｔ的频率特性主要与磁后效机制密切相关．在ω≤１０３Ｈｚ的低频区域，θｔ的频率特性主要取决于磁滞效应．由于介质磁损耗的存在，即使在ω→０的情况下，θｔ≠θｓ．理论分析还表明，采用具有磁损耗的磁光介质做成的磁光调制器。