超分辨近场结构光磁混合存储介质的温度场模拟

为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟。计算中采用的光磁混合记录介质膜层结构为C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/Co75Cr15Pt10(30 nm)。当写入温度为550 K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加。当激光功率从3.9 mW增至6.9 mW时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的1/4。

聚集诱导发光分子在双光束超分辨光存储中的潜在应用

聚集诱导发光分子因其高效的发光性质而被广泛应用于生物成像、光波导和电致发光等领域,但在光信息存储领域还鲜有研究。与其他光存储材料相比,聚集诱导发光分子的局域密度变化会引发荧光强度的变化,这在光存储领域是一个显著优点。该文针对聚集诱导发光分子的特性,讨论了该类分子在超分辨光存储领域的可能应用方式,以及需要解决的关键问题。

光学超分辨近场技术在光存储中的应用

超分辨近场结构技术是在传统的超分辨光盘技术和近场光学的基础上发展起来的新技术。本文介绍了超分辨近场结构技术的基本原理,综述了该技术在纳米光信息存储和光刻方面应用研究的最新进展,提出了存在的问题,展望了它的发展前景。

GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明,随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨的基本性能.转变过程主要受饱和磁化强度(Ms)的影响,在GdFeCo的补偿温度附近,读出层的磁化强度较小,退磁场能也较小,在交换耦合的作用下,使读出层(GdFeCo)的磁化方向发生转变.磁化方向的转变在75℃～125℃的温度范围内变化较快.

磁超分辨(MSR)在磁光数据存贮技术中的应用

采用交换、静态耦合多层膜超磁分辨方法可以超越光学极限实现高密度磁光记录。本文系统地讨论了前孔探测磁超分辨、后孔探测磁超分辨。

超分辨近场结构光盘的研究进展

超分辨近场结构(Super-RENS)光数据存储方案在近场超高密度光数据存储方面具有巨大的发展潜力和广阔的发展前景。在此方案中,超分辨结构的非线性层起着至关重要的作用。本文简述了Super-RENS光盘中两种类型光盘的结构及优点,并着重介绍了其工作机理的研究进展。

超分辨光存储研究进展

随着大数据和人工智能等信息技术日新月异,各行各业对数据信息存储的要求与日俱增。当前,以磁控存储技术为主的信息存储方式普遍存在寿命低、能耗高的缺点。与磁存储技术相比,光学数据存储技术具有能耗低、数据安全性高等优势,然而其数据存储容量受到光学衍射极限的极大制约。如何突破光学衍射极限,提升光存储技术光学系统的分辨能力,从而增加光学存储系统数据存储容量,是目前光存储技术进一步与大数据和云计算等信息技术融合的关键。本文阐述了基于超衍射极限分辨率的光学存储技术的原理和国内外发展现状,包括远场超分辨的三维光存储(如基于双光子吸收过程和饱和受激发射损耗荧光过程光数据存储)和近场超分辨二维光存储(如近场探针扫描显微存储、近场固体浸没透镜存储和超分辨近场结构存储)。最后,对基于超分辨光学存储技术当前存在的问题及未来发展方向进行了讨论。

面向产业化应用的双光束超分辨数据存储技术

光学数据存储技术虽然在存储寿命和功耗上具有显著优势,但在应对大数据纵深发展趋势时,目前的一些光存储技术在容量和密度方面面临严峻的挑战。相比于其他光存储技术,双光束超分辨光学数据存储技术在光学大数据存储产业化方面展现了明显的容量和密度优势。本文针对双光束超分辨光存储技术,全面介绍了该技术在光存储技术产业化应用中亟待解决的核心关键问题,并着重讨论了解决这些问题所需要采用的基本方法。

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术、SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理。

Axicons用于光学超分辨(英文)

提出了用圆锥棱镜构建光束整形器。该器件能将圆形光束转换成环形光束,由它所产生的环形光束的直径是可调的,即系统超分辨效应具有可调节性。给出了理论分析和数值模拟,模拟结果表明此器件可以实现光学超分辨,改变几何参数可以调节超分辨效应。

高密度近场光存储技术

对不同类型光纤的近场光场分布进行了比较,从光学性质的角度对其在近场光存储中的应用进行了讨论,并从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了高密度近场光存储技术的基本原理、研究现状和存在的问题.

近场光的分析及其在信息存储技术中的应用

该文介绍近场光研究的现状和近场光的特点,阐述近场光在存储技术中的几种应用技术。

基于双光束写和双光束读的超分辨三维纳米光子存储器

光存储技术(optical data storage,ODS)是一种很有前景的长寿命大数据存储解决方案[1].但是传统的光盘有着比闪存设备和硬盘低得多的容量,如何在有限体积内有效增加存储密度成为光存储亟待解决的问题[2].研究人员通过开发多维物理量复用的光存储[3,4],写入多层的三维空间光存储[5]等来提高光学存储介质的存储密度.但以上方法都没有突破光学衍射极限的限制.仅有极少研究讨论了光和材料相互作用之后,信息点被超分辨地写入随后被超分辨地读出,即超分辨率纳米光子存储技术.

采用Super-RENS的超高密度光存储器

光盘播放机中的光斑大小相当于唱机中的唱针粗细。光斑越小，光盘(光存储器)的容量可以越大。但是众所周知，用透镜会聚的光斑大小在瑞利衍射极限时为0．61λ／NA，在光盘中所采用的分辨率极限约为0．25／λ／NA。也就是用可见光读出的最小光斑约为100nm(纳米)。这时，波长(λ)=400nm，数值孔径(NA)=1．0。

中科院上海光机所在非线性超分辨光盘研究中取得突破性进展

近日,上海光机所高密度光存储实验室在非线性薄膜结构的超分辨光信息存储技术方面,经过近10年的探索、研究和多方合作,取得了突破性进展。随着信息技术的快速发展,

利用纳米天线产生无衍射光束

本文提出利用紧聚焦的径向偏振光激发金圆柱形纳米天线产生纳米尺寸无衍射光束,通过FDTD仿真天线出射端的近场光强度分布,分析光束的横截面半高宽离开出射端的变化。结果显示:圆柱纳米天线实现了光斑半高宽在80 nm左右的无衍射光束,在离开天线出射端20~60 nm范围内光斑大小形状几乎保持不变。为了说明光束的“无衍射”特性,对比球形纳米天线,直径均为50 n m,球形纳米天线出射端光束发散明显,由于圆柱纳米天线出射端的局域场分布呈均匀细圆环状,细圆环状的纳米光源在传播中等离子体发生干涉,从而延缓了光束的发散,获得了纳米级长距离无衍射光束。

稀土-过渡族合金双层磁光膜的交换耦合性能分析

稀土 过渡族合金GdFeCo/TbFeCo双层膜交换耦合性能的控制是实现中心孔探测型磁超分辨的关键。分别从理论和实验的角度研究了两层膜的交换耦合性能。理论计算结果表明,在温度升高到接近读出层补偿点时,由于两层之间的交换耦合,读出层磁化方向由室温时的面内变为垂直于膜面。实验得到了类似的结果,理论和实验结果有很好地吻合。另外,还分析了两层膜交换耦合性能的影响因素,分析结果对以后的实验有很好的指导作用。

磁光超分辨近场结构存储技术

介绍分析了近场存储基本原理和现状,对实现磁光近场存储的一种新方法-磁光超分辨近场结构的应用原理、最新进展及发展方向进行了综述。