磁光Kerr效应的量子散射方法

从量子电动力学的观点出发，通过计算光电子散射的微分散射截面，定量地给出了磁光Ｋｅｒｒ转角和出射光椭圆率的微观量子表达式。

磁光薄膜表面反射二次谐波Kerr效应的理论研究

利用级数展开法,推出了磁光薄膜各晶面对p极化光反射的二次谐波强度和磁光Kerr角;分析了入射角与各晶面反射的二次谐波强度及磁光Kerr角的相互关系,结果发现:①各晶面反射的二次谐波强度与入射光的强度之比正比于入射光的强度,且是入射角的函数,同时其比值在入射角的取值范围内存在极值;②各晶面反射的二次谐波的Kerr角与入射光的强度无关,只与薄膜的性质和入射角有关;③从保护薄膜的角度来看,读写激光不宜采用正入射方式.

磁性金属颗粒膜磁光-Kerr效应增强现象研究

基于磁性金属颗粒膜Kerr磁光效应的关系,结合电子跃迁和自由电子共振模型及实验数据,分析了金属颗粒膜的磁光Kerr旋转和Kerr椭偏现象,由分析研究表明:在磁性金属颗粒材料中Kerr旋转和Kerr椭偏率光谱(Kerr效应)中的共振峰不是由单一电子的跃迁引起,其中由于等离子体激化元的存在,而引起的等离子体共振行为在此产生了相当的影响.亦即对磁光Kerr旋转和Kerr椭偏率起作用的是电子跃迁与自由电荷载流子的等离子共振相互作用共同引起的.这一结论与对较大Kerr效应的4f化合物的相关实验强烈的Kerr效应和明显的共振结构相一致,这在铥原子化合物(Tm S,Tm Se)和铈化合物(Ce Sb,Ce Sb0.75Te0.25,Ce Te.)及L10Fe Pt膜中都已观察到这一现象.

电子自旋交换作用对极向磁光Kerr效应的影响——能带跃迁模型

用微观量子理论和能带跃迁模型 ,研究了极向磁光 Kerr效应对电子自旋交换劈裂能依赖性 .结果表明 ,磁光 Kerr转角 θK 与自旋劈裂能 Δ之间仅当 Δ很小时才有线性关系 ;θK的展开式中只出现

磁光Kerr效应的温度特性研究

从磁光Kerr效应的微观量子表述出发 ,分别研究了铁磁材料和亚铁磁材料的磁光Kerr效应的温度特性。结果表明 ,磁光Kerr转角θK 与材料磁化强度随温度变化关系不同。铁磁材料θK 对磁化强度M的级数展开式中仅含M奇次项。亚铁磁材料可以出现磁化强度M≠ 0而磁光Kerr转角θK

磁旋光反射腔交流调制输出倍频信号特性分析

根据法拉第效应的非互易性原理,分析了磁旋光反射腔交流调制输出倍频信号相关的特性;具体研究了倍频信号幅度及角度检测灵敏度与调制角幅度θ0和反射腔反射率R的关系。研究结果表明:当调制角幅度较小时,输出倍频信号幅度随反射率R的增加而增加,最大值是正交调制法的18倍左右;利用倍频信号检测角度的灵敏度与正交法相比也得到多倍提高,且随反射率R的增加而增加。该技术提供了一种交流磁光调制微小角度的检测方法,有望在相关领域获得较好地应用。

分子法拉第磁光效应磁强计原理研究

基于NO2 气体分子的法拉第磁光效应 ,采用磁旋转光谱技术 ,理论分析并实验测量了磁光信号对直流磁场的线性依赖关系。结合早先的磁光信号与交流磁场的线性关系[2 ] ,阐述了一种新型分子法拉第磁光效应磁强计的原理 ,预期其可以对 5 μT～ 10 0mT、DC～

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究

采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.

C掺杂FePt铁磁薄膜光诱导超快退磁动力学研究

FePt合金薄膜由于具有较强的磁各向异性而在磁信息和磁光信息存储中具有重要的应用.C掺杂可精确调控薄膜的磁各向异性,从而可有效地改变薄膜的矫顽场.通过超短激光脉冲与铁磁薄膜相互作用,可以获得非平衡状态下电子、自旋和晶格等自由度之间的动态耦合参数,这是研究超快磁记录材料的物理基础.本文基于瞬态磁光Kerr效应,研究了两种C掺杂浓度下FePt薄膜的超快磁光响应.实验结果表明:瞬态Kerr信号与外加磁场正相关,磁场反向,Kerr信号反号,而瞬态反射率与外加磁场无关;不同C掺杂的FePt薄膜的矫顽场不同,软磁的退磁时间显著小于硬磁薄膜的退磁时间.我们还观测到超快激光在铁磁薄膜中诱导频率约为49 GHz的相干声学声子,该声子的频率与外加磁场无关.实验结果为设计和研制新型磁光薄膜提供了实验依据.

夹层铁磁交换耦合的畴结构和铁磁共振分析

作者在分析前人实验结果的基础上,研究了夹层Co/Cu/Co的磁畴结构,并对反铁磁相互作用振动周期作了估算;夹层铁磁耦合的磁畴结构依赖于夹层磁化易轴的梯度取向,当Co层的易轴在夹层梯度的法线上时,交换耦合振动周期近似为8.5.另外,作者采用一种特殊模型,为3层膜的描述提供了一种有效的方法,即:在膜厚度范围内提出一种可用到单体薄膜交换耦合的规范且简单的计算方法.同时,也说明了对两个交换耦合介质之间界面结构的边界条件.

自旋-轨道耦合对磁性绝缘体磁光Kerr效应的影响

采用单原子能级跃迁模型 ,导出在同时考虑自旋交换劈裂和自旋 轨道耦合时磁光Kerr旋转的微观表达式 ,并就四能级跃迁情况 ,研究了磁光效应随原子基态及激发态能级自旋 轨道耦合常数的变化规律 .结果表明 :磁光Kerr旋转角与自旋 轨道耦合劈裂能量不成正比 ;单原子能级自旋 轨道耦合常数为正或中间激发态自旋 轨道耦合常数为负时 ,有利于提高磁光Kerr旋转 .

基于滤波处理旋光仪的优化设计

针对目前运用光电探测器技术测量旋光角精确度偏低的问题,在原有的旋光仪的基础上运用磁光调制偏振光对仪器进行优化设计。该设计可使光电探测器测量的信号分成三种成分。采用TMS320F2812DSP芯片,先对光电探测器的输出信号进行A/D处理。运用两个Butterworth滤波器将信号中的基频信号和倍频信号分离出来。分别求两个信号的平均功率进一步换算处理,从而得到精确的旋光角度值。实验结果分析,此系统测量角度可低至0.001°,测量溶液浓度可低至2mg/ml以下。降低了仪器对光电探测器的精度要求,提高了角度测量的精度。

Co_xAg_(1-x)纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .

1996～1997年磁性金属功能材料进展

本文综述了磁性金属功能材料研究在１９９６～１９９７年间的若干新进展。内容包括：（１）Ｆｅ－Ｓｉ合金的新工艺和新应用，（２）高记录密度的新磁记录介质，（３）新的巨磁光Ｋｅｒ效应材料，（４）高频和自旋阀磁头材料，（５）巨磁致伸缩材料和新磁致伸缩材料。

双光束磁光存贮中信号读出的偏振态分析

利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，推导了读出信号的表达式，分析了偏振分束镜与光盘盘基的相位延迟对读出信号的影响。

Co/BaTiO_3复合薄膜的逆磁电效应

采用脉冲激光沉积和磁控溅射方法,在取向为(111)的SrTiO3单晶基底上生长不同厚度的Co/BaTiO3复合薄膜。其中,BaTiO3层厚度分别为60、120、180nm。利用铁电测试仪和磁光Kerr磁性测量计表征复合薄膜的铁电性能和磁性能。在垂直于复合薄膜表面方向施加动态电压,并同步采集磁光Kerr信号,表征了复合薄膜的逆磁电效应。结果表明:随着BaTiO3层厚度的增大,SrTiO3基底传递给BaTiO3薄膜的应变逐渐释放,铁电性能无明显变化。Co膜磁性良好,饱和磁场为3 980A/m,矫顽场为3 105A/m。随着BaTiO3层厚度的增加,复合薄膜表现出形状不同的电压调控的Kerr信号曲线,表明逆磁电耦合效应与BaTiO3层传递给Co膜的电致应变密切相关。

磁光数据存贮技术进展

介绍了光学数据存贮的基本原理。磁光存贮是目前备受重视的可擦重写光存贮技术，它在计算机外存贮设备中有着广泛的应用前景，详细介绍了磁光存贮技术的进展及未来的发展趋势。

静磁表面波对高斯光脉冲的衍射特性研究

研究了磁光薄膜波导中线性啁啾高斯光脉冲与单频连续静磁波共线作用,给出了水平磁化时基于静磁表面波的磁光耦合方程。分别采用解析法和数值法计算了1310 nm和1550 nm两种光波长入射时衍射光的压缩特性,两种求解方法得到的结果一致。计算表明,衍射光脉冲的半峰全宽(FWHM)随相位失配因子的频率变化率和啁啾系数的增大而减小;在给定的计算参数下,与1310 nm波长对应的衍射光脉冲具有较大的峰值强度,但1550 nm波长输入时可以获得更窄的衍射光脉冲,因而1550 nm光脉冲更适于作为磁光脉冲压缩的脉冲源。文章还分析了磁损耗对衍射光脉冲的光强和输出脉宽的影响,对于普通的磁光薄膜,损耗基本上不影响光脉冲压缩效果。

CoSiB/FeNbCuSiB和FeNbSiB/FeSiB双层薄带的表面和块体磁各向异性

O.Zivotsky等人采用现代平面流动制造工艺,制造了这些双层薄带,并借助X-射线衍射测定,证明全是非晶态,带厚均为36μm,中间层厚为若干μm。薄带的弯曲导至块体表面各向异性,磁光kerr效应和振动样品磁强计测量也证明如此。