射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能

采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜 ,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律。利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为 10 .5 μm的GaP膜 ,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系。实验表明 ,GaP厚膜与基体结合性能较好 ,光学性能亦有所改善 ;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好 ,在 8～ 11.5 μm波段平均透过率净增 5 .6 9% ,足以满足 8～ 11.5 μm增透要求。