O484.1 2000042702等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长=Low temperature growth of AlN thinfilms deposited by reactively pulse-laser ablationwith plasma-assisted[刊,中]/汪洪海,郑启光,魏学勤,丘军林(华中理...O484.1 2000042702等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长=Low temperature growth of AlN thinfilms deposited by reactively pulse-laser ablationwith plasma-assisted[刊,中]/汪洪海,郑启光,魏学勤,丘军林(华中理工大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074))//功能材料.—1999,30(2).—204—206使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)展开更多
文摘O484.1 2000042702等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长=Low temperature growth of AlN thinfilms deposited by reactively pulse-laser ablationwith plasma-assisted[刊,中]/汪洪海,郑启光,魏学勤,丘军林(华中理工大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074))//功能材料.—1999,30(2).—204—206使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)