一种基于嵌入式磁旋存储芯片的固态硬盘控制器芯片架构

传统企业级固态硬盘存储芯片采用外接DRAM(Dynamic Random Access Memory)颗粒的方式来存储闪存地址转换映射表,不仅成本高,占用面积大,还需要设计复杂的掉电保护流程和额外的备电保持电容。利用新型磁旋存储芯片的掉电非易失特性,以及密度高、速度快、功耗低、数据保持时间长、可擦写次数无限等特点,提出了一种基于嵌入式磁旋存储芯片的固态硬盘控制器架构方案,能够大大简化控制器芯片的掉电异常流程和备电设计,节省固态硬盘内部的备电电容成本,有效支撑固态硬盘的容量提升。

一种新型的基于嵌入式MRAM的低功耗芯片架构技术研究

随着半导体工艺技术的不断进步、芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。随着芯片工艺的逐步升级,性能问题已不在是芯片设计环节的主要瓶颈,如在很多手持设备领域,低功耗设计成为了芯片设计中的关键核心问题。通过引入一种基于磁存储芯片作为内部存储器件的芯片架构,同时也用作芯片内部的高速缓存,能够有效降低芯片漏电流,有效地提升了设备使用时间,降低了整体的TCO成本,大大提升了产品竞争力。

一种基于自主可控eMRAM的高随机性能存储技术研究

随着半导体工艺技术的不断进步、芯片工艺制程的不断演进,NAND Flash容量越来越大,集成度越来越高,连续读写性能问题通过多并发得到提升,已不再是非易失存储系统设计环节的主要瓶颈,取而代之,由于NAND Flash读写潜伏期的存在,随机性能提升成为是非易失存储系统设计中的关键核心问题。磁存储器件,作为国内自主研发的新型存储器重点方向之一,有着广泛的应用前景。引入磁存储芯片作为非易失存储器件的高速缓存,能够有效降低读写延时,提升非易失存储设备随机性能,大大提升产品竞争力和性能.