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从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质
被引量:
2
1
作者
彭英姿
Thomas Liew
+1 位作者
叶志镇
张银珠
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第16期1864-1867,共4页
研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随...
研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线,在55K附近出现了一个小峰.小峰出现的温度与文献中报道的"奇异峰"出现的温度相似,虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显.没有实验结果表明引文中的"奇异峰"与纳米材料的量子效应有相关性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释.并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.
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关键词
稀磁半导体
磁学本质
奇异
磁学
行为
ZnO基
原文传递
题名
从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质
被引量:
2
1
作者
彭英姿
Thomas Liew
叶志镇
张银珠
机构
杭州电子科技大学理学院
Data Storage Institute
Department of Electrical and Computer Engineering
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第16期1864-1867,共4页
基金
杭州电子科技大学科学研究基金(批准号:KYF091506003)
浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金(批准号:200603)资助项目
文摘
研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线,在55K附近出现了一个小峰.小峰出现的温度与文献中报道的"奇异峰"出现的温度相似,虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显.没有实验结果表明引文中的"奇异峰"与纳米材料的量子效应有相关性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释.并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.
关键词
稀磁半导体
磁学本质
奇异
磁学
行为
ZnO基
分类号
O472.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质
彭英姿
Thomas Liew
叶志镇
张银珠
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
原文传递
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