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一种宽频高μr”的Ni-Zn-Co铁氧体膜制作
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作者 薛蕙 《磁性元件与电源》 2014年第8期133-134,144,共3页
文章介绍一种可在0.1GHz~1GHz的极宽频率范围内具有高μr”(磁导牢虚部)(〉100)的Ni-Zn-Co铁氧体薄膜。这种薄膜是采用水溶液旋转喷镀工艺,将Ni-Zn-Co铁氧体沉积成薄膜。如果优化配比Ni、Zn、Co和Fe的组分(如组分为Ni0.22,... 文章介绍一种可在0.1GHz~1GHz的极宽频率范围内具有高μr”(磁导牢虚部)(〉100)的Ni-Zn-Co铁氧体薄膜。这种薄膜是采用水溶液旋转喷镀工艺,将Ni-Zn-Co铁氧体沉积成薄膜。如果优化配比Ni、Zn、Co和Fe的组分(如组分为Ni0.22,Zn0.52,Co0.03,Fe2.23O4),则其薄膜在频率高达130MHz时,其磁导率实部μr'〉260,在100MHz~1GHz的极宽频范围,其磁导率虚部μr”〉100、这些磁性薄膜在低温(90℃)制成,不需要在沉积后退火,即可直接覆盖于印刷路板上的噪声源元件上,以实际用作电磁噪声抵制器。 展开更多
关键词 磁导牢虚部 铁氧体性薄膜 旋转喷镀工艺 率材料 噪声抵制器
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