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磁性可控MWNTs/SDS/Fe_3O_4纳米复合材料的制备及其对亚甲基蓝染料的吸附研究 被引量:2
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作者 宋小杰 杨帆 +1 位作者 徐玲 王献彪 《应用化工》 CAS CSCD 2013年第2期210-212,217,共4页
通过变动Fe、C的摩尔比,利用非共价的方式,借助于表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)将Fe3O4磁性纳米粒子定量地修饰到多壁碳纳米管(MWNTs)的表面,制备出MWNTs/SDS/Fe3O4纳米复合材料。结果表明,随着Fe、C摩尔比中Fe的百分含量升高,磁性复... 通过变动Fe、C的摩尔比,利用非共价的方式,借助于表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)将Fe3O4磁性纳米粒子定量地修饰到多壁碳纳米管(MWNTs)的表面,制备出MWNTs/SDS/Fe3O4纳米复合材料。结果表明,随着Fe、C摩尔比中Fe的百分含量升高,磁性复合材料的饱和磁化强度相应增大,所以可以通过改变铁碳比来制备磁性可控的纳米磁性复合材料。另外,MWNTs/SDS/Fe3O4纳米复合材料的吸附实验表明,对亚甲基蓝染料溶液有较高的吸附效率,作为一种磁性材料,利用永磁体,可以轻易地将吸附完成后的纳米复合材料从染料溶液中分离出来,重新收集后循环利用。 展开更多
关键词 碳纳米管 FE3O4纳米粒子 定量 可控磁性 吸附
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基于石墨烯纤维的石墨烯片双氧化物双自由基分子磁性调控
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作者 孔令乾 钱兆红 +3 位作者 张梅 周连文 张会青 杨洪芳 《纺织科技进展》 CAS 2021年第6期23-27,31,共6页
理论设计了一类小型石墨烯片段的双氧化物Dioxide_(2,n)(n≥2)。DFT和CASSCF方法计算结果表明,n=2时,石墨烯片段双氧化物以开壳层破损态单重态为能量基态并具有明显的双自由基性质和反铁磁性,而从n=3到n=5,体系均为三重态双自由基分子,... 理论设计了一类小型石墨烯片段的双氧化物Dioxide_(2,n)(n≥2)。DFT和CASSCF方法计算结果表明,n=2时,石墨烯片段双氧化物以开壳层破损态单重态为能量基态并具有明显的双自由基性质和反铁磁性,而从n=3到n=5,体系均为三重态双自由基分子,其三重态能量基态导致其内部具有明显的铁磁性。研究表明氧化石墨烯片具有构建磁性可调控材料的应用潜力,为设计开发石墨烯基磁性材料提供了合理思路,具有一定的应用意义。 展开更多
关键词 石墨烯片双氧化物 双自由基 磁性可控 密度泛函理论
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磁性能可控的聚(N-异丙基丙烯酰胺)基纳米复合水凝胶的制备与表征 被引量:1
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作者 王益亨 夏梦阁 +1 位作者 武永涛 朱美芳 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期32-39,共8页
以N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)为单体、焦磷酸钠改性的无机锂皂石(Clay-S)为物理交联剂,制备了温敏性的纳米复合水凝胶(NC gels),通过原位化学沉淀法引入Fe3O4纳米粒子,制备了聚(N-异丙基丙烯酰胺)基磁性纳米复合水凝胶(MNC gels)。使用傅... 以N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)为单体、焦磷酸钠改性的无机锂皂石(Clay-S)为物理交联剂,制备了温敏性的纳米复合水凝胶(NC gels),通过原位化学沉淀法引入Fe3O4纳米粒子,制备了聚(N-异丙基丙烯酰胺)基磁性纳米复合水凝胶(MNC gels)。使用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱(EDX)、差示扫描量热分析(DSC)、综合物性测量系统(PPMS)等测试方法表征了凝胶网络的结构形态、磁性粒子的晶型及其分布、凝胶的温敏性和磁性能。重点研究了制备过程中的浸泡液铁盐浓度、预聚液的单体浓度及黏土含量对凝胶磁性能的影响,并对上述影响因素进行了分析和模拟。结果表明:MNC gels同时具有温敏性和磁敏性,且其磁性能受浸泡液铁盐浓度、预聚液的单体浓度及黏土含量影响;根据影响因素显著性水平建立了可预测MNC gels磁性能的模型,使磁性能的可控制备成为可能。 展开更多
关键词 纳米复合水凝胶 磁性可控 原位化学沉淀法
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Adaptive Finite Element Modeling of Marine Controlled-Source Electromagnetic Fields in Two-Dimensional General Anisotropic Media 被引量:15
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作者 LI Yuguo LUO Ming PEI Jianxin 《Journal of Ocean University of China》 SCIE CAS 2013年第1期1-5,共5页
In this paper, we extend the scope of numerical simulations of marine controlled-source electromagnetic (CSEM) fields in a particular case of anisotropy (dipping anisotropy) to the general case of anisotropy by using ... In this paper, we extend the scope of numerical simulations of marine controlled-source electromagnetic (CSEM) fields in a particular case of anisotropy (dipping anisotropy) to the general case of anisotropy by using an adaptive finite element approach. In comparison to a dipping anisotropy case, the first order spatial derivatives of the strike-parallel components arise in the partial differential equations for generally anisotropic media, which cause a non-symmetric linear system of equations for finite element modeling. The adaptive finite element method is employed to obtain numerical solutions on a sequence of refined unstructured triangular meshes, which allows for arbitrary model geometries including bathymetry and dipping layers. Numerical results of a 2D anisotropic model show both anisotropy strike and dipping angles have great influence on the marine CSEM responses. 展开更多
关键词 adaptive finite elements marine CSEM general anisotropy
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Large and controllable tunneling magnetoresistance in ferromagnetic/magnetic-semiconductor/ferromagnetic trilayers 被引量:1
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作者 ZHANG PeiPei XU Ming 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第8期1514-1519,共6页
In this work, we selected a magnetic-semiconductor as an interlayer and investigated the electronic transport properties in the ferromagnetic/ferromagnetic-semiconductor/ferromagnetic (FM/FS/FM) trilayers. The results... In this work, we selected a magnetic-semiconductor as an interlayer and investigated the electronic transport properties in the ferromagnetic/ferromagnetic-semiconductor/ferromagnetic (FM/FS/FM) trilayers. The results indicate that the large TMR comparable to that in ferromagnetic/metal oxide/ferromagnetic sandwich can be obtained in the FM/FS/FM multilayers with considering the spin filter effect in the magnetic semiconductor layer. Moreover, the transmission coefficient and TMR can be tuned through thickness, Rashba spin-orbit coupling strength and molecular field of the magnetic semiconductor. Our calculations could provide a way to design the semiconductor spintronic devices with excellent and controllable properties. 展开更多
关键词 magnetic semiconductor spin-orbit coupling transmission coefficient tunneling magnetoresistance
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