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基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻电路对称动力学行为分析
被引量:
6
1
作者
吕晏旻
闵富红
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第13期43-54,共12页
将含绝对值项的磁控忆阻器引入改进型蔡氏电路,构建新型磁控忆阻混沌电路,通过分岔图与Lyapunov指数谱创新性地观察到系统的对称分岔行为,揭示系统双参数平面内运动状态分布的对称性.同时,基于忆阻电路参数-初值平面的系统运动分布图,...
将含绝对值项的磁控忆阻器引入改进型蔡氏电路,构建新型磁控忆阻混沌电路,通过分岔图与Lyapunov指数谱创新性地观察到系统的对称分岔行为,揭示系统双参数平面内运动状态分布的对称性.同时,基于忆阻电路参数-初值平面的系统运动分布图,分析对称吸引域内系统的多稳态特性,相图的绘制进一步证明电路多稳态现象的存在性.此外,应用现场可编程逻辑门阵列完成电路实验,在数字示波器上捕捉实验结果,证明所构磁控忆阻电路的物理可实现性.
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关键词
磁控忆阻系统
对称动力学行为
多稳态特性
现场可编程逻辑门阵列
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职称材料
题名
基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻电路对称动力学行为分析
被引量:
6
1
作者
吕晏旻
闵富红
机构
南京师范大学电气与自动化工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第13期43-54,共12页
基金
国家自然科学基金(批准号:61871230)资助的课题~~
文摘
将含绝对值项的磁控忆阻器引入改进型蔡氏电路,构建新型磁控忆阻混沌电路,通过分岔图与Lyapunov指数谱创新性地观察到系统的对称分岔行为,揭示系统双参数平面内运动状态分布的对称性.同时,基于忆阻电路参数-初值平面的系统运动分布图,分析对称吸引域内系统的多稳态特性,相图的绘制进一步证明电路多稳态现象的存在性.此外,应用现场可编程逻辑门阵列完成电路实验,在数字示波器上捕捉实验结果,证明所构磁控忆阻电路的物理可实现性.
关键词
磁控忆阻系统
对称动力学行为
多稳态特性
现场可编程逻辑门阵列
Keywords
flux-controlled memristor circuit
symmetrical dynamic behaviors
multistability
field programmable gate array
分类号
O415.5 [理学—理论物理]
TN60 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻电路对称动力学行为分析
吕晏旻
闵富红
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
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职称材料
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