离子束辅助磁控溅射沉积TiN薄膜的研究

利用三离子束辅助沉积设备 ,以离子束辅助沉积、磁控溅射和离子束辅助磁控溅射几种工艺在GCr15基体上沉积TiN薄膜。实验结果表明 :离子束辅助磁控溅射有效地提高了薄膜的硬度、耐磨性和耐蚀性 ,改善了膜基结合力。

基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响

利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。

磁控溅射沉积U薄膜性能研究

采用X射线光电子能谱仪 (XPS)和扫描透射电镜 (STEM )分析了在Al薄膜基材上磁控溅射沉积U薄膜的表面形貌、组织和结构 ;分别采用排代法、霍美尔 (T2 0S)粗糙度测量仪测量了薄膜的密度和表面粗糙度。结果表明 :溅射沉积的U薄膜由金属U和少量UO2 组成 ,薄膜结构属微晶和无定形态 ,密度是块材密度的 (75± 5 ) % ,表面粗糙度小于 0 3 μm。

等离子体源增强磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜研究

采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si（100）基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O3体材料相当.

硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究

本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射线衍射半高宽仅为０．７°．在用ＸＲＤ，ＸＰＳ等手段对其成份、结构分析的基础上，进一步对其反应溅射过程进行了研究．

蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响

用 X-光电子能谱仪(XPS)、扫描透射电镜(STEM)分析了蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响。结果表明,在沉积真空2Pa 下,蒸发、磁控溅射沉积的铀薄膜已完全氧化;在沉积真空2×10^(-1)Pa 下,磁控溅射沉积的铀薄膜由金属铀和二氧化铀组成,薄膜呈微晶或无定形结构。

HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响。对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能。采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能。本研究得到了优化的沉积工艺参数。

反应磁控溅射沉积Ti_xAl_yN_z热控薄膜研究

采用反应磁控溅射技术,以Ti和Al为溅射靶材料,Ar和N2为溅射气体,在Al基底上沉积TixAlyNz热控薄膜。优化制备薄膜的最佳实验条件。对薄膜进行XRD、XPS分析及热光学测试,研究了TixAlyNz薄膜的结构特点及热光学特性。结果表明,采用独立Ti、Al靶的磁控反应溅射制备的TixAlyNz热控薄膜,通过控制薄膜厚度与组成,在忽略飞行器内部热作用的条件下其平衡温度为34℃。

射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜

采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积，在金属表面制备了Ａｌ２Ｏ３ 膜．实验表明，采用本方法在工艺上是可行的，膜与基材结合性能好。

低能量粒子磁控溅射沉积薄膜的蒙特卡罗模拟

提出了一个磁控溅射的低能量粒子 (可以是离子或原子 )加温沉积模型 ,特别考虑了溅射损伤和有一定能量的入射粒子对基底的加温作用 ,并和真空沉积在相同外界条件下作了比较。利用蒙特卡罗方法研究了低能量粒子 (<10 0eV)对金属原子沉积薄层的作用。结果表明 ,当溅射很弱时 。

2019高功率脉冲磁控溅射沉积薄膜技术与应用专题会议将于上海召开

高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)作为一种利用高脉冲峰值功率和低脉冲占空比实现高离化率的溅射沉积薄膜新技术,可以控制膜层的微结构、降低膜层内应力、提高膜层致密度和膜基结合力、获得性能优异的薄膜,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注。

脉冲激光和磁控溅射沉积Mo薄膜研究

实验用于高能量驱动的一种靶目前主要是Me-Mo阻抗匹配靶，即用已知高压状态方程数据的Mo标准材料与未知的待测材料Me相匹配成微靶，通过激光加载实验并计算Me材料的p（V）曲线，近而获取Me的状态方程数据。目前，微米级厚的Mo薄膜可以通过机械（化学）抛光的方法获得，但过程可控性不强，终态薄膜的有效使用面积小。另一种途径是采用物理气相沉积（PVD）制备Mo薄膜。

2019高功率脉冲磁控溅射沉积薄膜技术与应用会议将在兰州召开

高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)作为一种利用高脉冲峰值功率和低脉冲占空比实现高离化率的溅射沉积薄膜新技术,可以控制膜层的微结构、降低膜层内应力、提高膜层致密度和膜基结合力、获得性能优异的薄膜,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)作为一种利用高脉冲峰值功率和低脉冲占空比实现高离化率的溅射沉积薄膜新技术,可以控制膜层的微结构、降低膜层内应力、提高膜层致密度和膜基结合力、获得性能优异的薄膜,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。

射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光 ,其峰位会随氧流量的减少而发生红移 .

磁控溅射沉积宽带减反膜

早在1938年,美国就研制成功了多层减反膜,稍后在欧洲也取得了成功。减反膜在光学薄膜生产中处于非常重要的地位:照像物镜、眼镜片、望远镜、显微镜、测距仪等,几乎所有的光学仪器都采用了减反膜。目前减反膜的制备在技术上已经成熟,尤其是借助电子计算机,多层减反膜的膜系也变得十分完美。减反膜在制备方法上先后采用了电阻加热蒸发和电子枪蒸发法等。然而随着大批量减反膜的需求,提出了在室温下,大面积沉积减反膜的要求。由于磁控溅射能得到性能很稳定的光学薄膜,而且在室温下能进行大面积沉积,因此近年来受到广泛重视。本文介绍采用磁控溅射沉积多层宽带减反膜,研究了溅射系统、厚度监控。

非平衡磁控溅射沉积系统伏安特性模型研究

非平衡磁控溅射沉积系统的伏安特性对阴极溅射和薄膜沉积过程具有重要的影响 .通过分析在常规磁控溅射沉积系统中非平衡磁场对于放电过程的影响 ,根据蔡尔得定律研究了非平衡磁场对磁控溅射沉积系统伏安特性影响的基本规律 ;