磁约束磁控溅射源的工作特性测试

为了提高靶材利用率，将磁约束原理应用在磁控溅射技术中，设计了一款直流矩形平面磁控溅射源．测量了磁约束磁控溅射源原理样机靶面磁场强度，研究了不同工作真空度下的伏安特性以及磁控溅射电源工作在不同模式下靶电压与工作真空度之间的关系，确定了磁控溅射源正常工作时的最佳工艺参数，为磁约束磁控溅射源原理样机的结构改进提供依据．实验表明：磁控溅射靶稳定工作的电压范围是300-700V，靶电流可达到1．2A，最高工作真空度为2Pa．

磁约束磁控溅射源工作特性及沉积速率的分析

为了提高靶材的利用率,将磁约束原理应用于磁控溅射技术中.采用直流矩形平面磁控溅射源,测量了磁约束磁控溅射源稳定工作状态下的伏安特性及在恒功率模式下真空度与靶电流之间的关系,研究了沉积速率与Ar气流量、溅射功率等因素之间的关系.确定了磁约束磁控溅射源稳定工作时的最佳工艺参数.实验表明:磁约束磁控溅射源稳定工作的电压范围是400～750 V,工作真空度范围是3.7～4.7 Pa,在Ar气流量为220 sccm时膜层具有最大沉积速率为54.6 nm/min.

倒锥形磁控溅射源的设计与计算

倒锥形磁控溅射源是七十年代中期发展起来的一种新型磁控溅射源。文中在简述了 这种源的结构与工作原理的基础上，详细地论述了倒锥形磁控溅射源的靶形选择、靶面 磁场强度计算、靶与基片距离的确定、靶冷却水量的计算以及倒锥靶与水冷套的特殊结 合等问题。

平面旋转磁控溅射源的研究

本文根据对国内外现有适用微电子器件生产的圆形平面溅射源的基本特性的分析比较,通过对平面磁控溅射靶的磁场分布和溅射距离同沉积薄膜厚度均匀性关系的讨论,得出适应于微电子器件生产的磁控溅射源的基本结构,最终确定了能保证良好的沉积特性、膜厚均匀性及靶材利用率高的圆形平面旋转溅射源。

磁控溅射气体团簇源中团簇形成的DSMC研究

利用直接模拟蒙特卡洛方法(DSMC),模拟了磁控溅射气体团簇源中Cu^+(Cu^-)的含量比例不同的条件下,Cu团簇的尺寸分布.模拟结果表明:随着含量比例的增加,团簇的尺寸分布变窄了,不带电的团簇的比例增加,不带电的铜团簇分布的最大值减小,相应的带正电荷和带负电荷团簇的比例减小;相同的含量比例下,带正电的团簇的尺寸分布与带负电荷的团簇的尺寸分布基本相同;初始Cu^-比Cu^+的含量比例大时,输出的主要是带负电荷的团簇,带正电荷和不带电的团簇占很小的比例;Cu^-含量比例的增加,负Cu团簇的尺寸分布减小.

几种沉积氮化钛涂层的新技术

介绍了几种沉积氮化钛涂层的新技术。利用辅助磁场消除多孤离子镀沉积氮化钛膜层中的熔滴,细化膜层组织;安装平面大弧源和柱状弧源的多弧离子镀膜机,使多弧离子镀膜机结构简化、操作简便;采用非平衡磁控溅射源扩展了镀膜室内等离子体范围,有利于磁控溅射沉积氮化钛超硬涂层。

真空离子精饰镀膜技术研究

黄铜基材装饰件表面采用高能级溅射离子镀 ,镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀技术在不锈钢镀膜表面上镀制 Ti N/ Au透明陶瓷保护膜 Si O2 、Ti O2 。并对各膜层的硬度、耐蚀性、耐磨性及相结构进行分析。