磁控溅射-熔覆法制备铜/钼接头的组织与性能研究

采用磁控溅射-熔覆法制备了铜/钼接头,并通过室温静态拉伸试验对其结合性能进行了测试。采用光学显微镜观察了Cu/Mo结合界面附近的显微组织,并利用扫描电镜(配X射线能谱仪)分析了断口形貌及Cu/Mo界面附近的Cu,Mo,Ni和Cr合金元素分布情况。结果表明,添加适量的Ni、Cr等合金元素可使结合界面形成4~5μm的扩散层,从而有利于铜和钼的连接。在5.0×10-3Pa真空度下,1200℃熔覆并保温60 min,然后缓慢冷却,制得接头的抗拉强度为156 MPa。钼和铜均发生了再结晶,其中钼的平均晶粒尺寸约为20μm,而铜的晶粒尺寸达数百微米。室温拉伸条件下,接头由钼侧发生脆性断裂,断口特征由心部到边缘依次为解理断裂、混合(晶间+韧窝)断裂、剪切断裂。