一种基于嵌入式磁旋存储芯片的固态硬盘控制器芯片架构

传统企业级固态硬盘存储芯片采用外接DRAM(Dynamic Random Access Memory)颗粒的方式来存储闪存地址转换映射表,不仅成本高,占用面积大,还需要设计复杂的掉电保护流程和额外的备电保持电容。利用新型磁旋存储芯片的掉电非易失特性,以及密度高、速度快、功耗低、数据保持时间长、可擦写次数无限等特点,提出了一种基于嵌入式磁旋存储芯片的固态硬盘控制器架构方案,能够大大简化控制器芯片的掉电异常流程和备电设计,节省固态硬盘内部的备电电容成本,有效支撑固态硬盘的容量提升。