抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数。讨论了量子点的有效受限长度、磁场、库仑场和电子 LO声子耦合强度对抛物量子点中强耦合束缚磁极化子振动频率和声子平均数的影响。数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数均随量子点的有效受限长度、回旋共振频率的增加而减小,随库仑束缚势的增加而增加,声子平均数随电子 LO声子耦合强度增加而减小。

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加.这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.

自旋对非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子基态能量的影响(英文)

采用Tokuda修正的线性组合算符和幺正变换方法,研究了非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质。推导出了磁极化子基态能量随量子点横向、纵向受限长度和磁场的变化关系。进行了数值计算,计算结果表明:考虑自旋影响时,束缚磁极化子基态能量分裂成自旋向上(向下)两个分支。并且磁极化子基态能量、自旋向上(向下)分裂能随量子点横向、纵向受限长度的增加而减少,随磁场强度的增加而增大。

二维非极性晶体中声学形变势表面磁极化子

本文研究磁场中二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面极化子的性质．采用线性组合算符和拉格朗日乘子法导出表面磁极化子的基态能量．讨论了表面磁极化子的振动频率、基态能量和有效质量与磁场的关系．

用不同的近似方法计算极性晶体中强耦合磁极化子有效质量与温度的关系

采用改进的线性组合算符法研究极性晶体中强耦合磁极化子的有效质量与温度的关系。详细讨论了在不同的近似计算程度情况下有效质量的温度特性。结果表明

弱耦合表面磁极化子的内部激发态

采用线性组合算符和幺正变换方法研究弱耦合表面磁极化子的内部激发态性质 ,并对两种极限情况进行讨论。以晶体ZnSe为例作了数值计算。结果表明 :表面磁极化子的内部激发态能量和振动频率随磁场B的增加而增大。

抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响。导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度、库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系。数值计算结果表明:弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加,表现出奇特的量子尺寸效应。

磁场中准二维强耦合磁极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符和LLP变分法,研究了外磁场对量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合磁极化子的有效质量的影响。对AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的有效质量随阱宽的增加而减小,随磁场的增强而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子有效质量的贡献大不相同。

磁场和温度对束缚磁极化子有效质量的影响

研究强、弱耦合情形下,库仑场中束缚磁极化子的性质。采用改进的线性组合算符方法研究束缚磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性,对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强耦合情形下,束缚磁极化子的振动频率随温度的升高和磁场的增强而增加;有效质量随温度的增加而增加,但随磁场的增强而减少。

抛物量子点中弱耦合磁极化子的性质

应用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中磁极化子的基态性质。得出基态能和基态束缚能随有效束缚强度增大而减小,随回旋频率增大而增大。当有效柬缚强度给定,基态能量随电子-体纵光学声子耦合强度增加而减小。当有效束缚强度l0>0.3时,电子-体纵光学声子耦合强度的变化对量子点中弱耦合磁极化子的基态能量的影响变得显著。当有效束缚强度l0<0.3时,电子-体纵光学声子耦合强度的变化对基态能量影响很小。由于有效束缚强度与量子点受限强度的平方根成反比,所以量子点受限越强,基态能量、基态束缚能越大,电子一体纵光学声子耦合强度和磁场的变化对量子点的影响相对越小;当量子点受限变弱时,电子-声子耦合强度变化对量子点的影响变大,磁场对量子点的影响也变大,所以在量子点中,极化子对量子点的影响不容忽略。

稳恒磁场中极性晶体膜内电子-表面声子强耦合磁极化子的有效质量

采用 Tokuda改进的线性组合算符、L agrange乘子和变分法 ,讨论了磁场中极性晶体膜内电子 -表面光学(SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合磁极化子的有效质量 ,得出了磁极化子的有效质量随膜厚和磁场变化的规律 ,对 KC1极性晶体膜进行了数值计算 ,结果表明磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加 ,最后趋于一个稳定值 。

半导体量子阱中弱耦合磁极化子的性质(英文)

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了在考虑电子自旋情况下无限深量子阱中弱耦合磁极化子的性质。导出了弱耦合磁极化子的声子平均数、基态能量和电子自旋能量与磁极化子基态能量之比的绝对值的表达式。并对两种不同阱材料的量子阱进行了数值计算,结果表明:磁极化子的声子平均数随电子-LO声子耦合常数和阱宽的增加而增大,并且最终随着阱宽的增加而趋于体情况下的极限值;由于电子自旋能的作用使磁极化子的基态能量由不考虑电子自旋下的一条分裂为两条,并且它随阱宽和电子-LO声子耦合常数的增加而减小,随回旋共振频率(磁场)的增加而增大。电子自旋作用能否忽略由回旋共振频率和阱材料本身的性质决定。

束缚磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法分别导出弱、强耦合情形下束缚磁极化子的振动频率和基态能量。结果表明库仑场的存在使得磁极化子的基态能量的绝对值变小。

半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质(英文)

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质。推导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率及阱宽的变化关系。以RbCl量子阱进行数值计算,结果表明:当阱宽一定时,强耦合磁极化子振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率的增大而增大;当回旋共振频率确定时,磁极化子振动频率和自陷能随阱宽的增加而增大,最后趋向于三维结果,而磁极化子的基态能量则随阱宽的增加而减小,且在阱宽取相对较小值时,表现出奇特的量子尺寸效应。

极化子速率对量子点中磁极化子性质的影响

采用改进的线性组合算符及么正变换的方法研究了极化子速率对量子点中强耦合磁极化子性质的影响。在考虑Rashba自旋轨道耦合相互作用影响下,导出了量子点中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量、有效质量和相互作用能随极化子速率的变化关系。对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:量子点中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量、有效质量随极化子速率的增加而增大,相互作用能随极化子速率的增加而减少。

温度对抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究温度对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响,导出了弱耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系。取CdTe晶体为例进行数值计算,结果表明:弱耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的受限强度的增强而迅速增大。

柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法，研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量，电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势，在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上，给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明，随着量子线半径的增大，基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小，回旋共振频率也随之减小．

表面磁极化子的光学声子平均数

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了强、弱耦合表面磁极化子的性质。计 算了极化子的基态能量和光学声子平均数。以AgCl和ZnS晶体为例进行了数值计算。讨论了表面磁极化子振 动频率、基态能量和光学声子平均数与磁场B和拉格朗日乘子u的关系。

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.

量子线中弱耦合束缚磁极化子激发态的性质

从电子与体纵光学声子(LO声子)体系的哈密顿量出发,采用Huybrenchts的线性组合算符及幺正变换方法研究了在磁场作用下抛物量子线中弱耦合束缚极化子的激发能量、第一内部激发态能量和振动频率,并对其进行了数值计算,数值计算结果表明:抛物量子线中弱耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,随约束强度和磁场回旋频率的增加而增大;激发能量和振动频率随约束强度、磁场回旋频率和库仑束缚势的增加而增大。