一种磁控忆感模拟器的设计及其特性分析

记忆器件的出现为电路设计提供了新的方法,由于目前尚无法获得实际的记忆器件,所以研究人员通常通过搭建电路模拟器的方法对其进行研究。本文直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,采用通用电路元器件设计了一种不包含忆阻器的磁控忆感"浮地"电路模拟器,并采用Matlab和Multisim混合仿真的方法,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下磁控忆感电路模拟器的系统级仿真实验,结果表明:所设计的磁控忆感器具有磁通-电流之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电感,这与理论概念上的忆感器特性相吻合,从而为忆感器在电子学领域产生新的应用电路提供了器件模拟实体。

一种浮地磁控忆感模拟器的设计及其特性分析

直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,基于该模型采用通用电路元器件设计了一种不包含忆阻器的磁控忆感器"浮地"电路模拟器,借助Matlab和Multisim仿真工具软件,进行了等效忆感电路模拟器在不同信号、不同参数下的系统级仿真实验,完成了硬件电路的实现及性能测试。软件仿真和硬件测试结果均表明:所设计的磁控忆感器具有磁通-电流之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电感,这与理论概念上的忆感器特性相吻合,从而为忆感器在电子学领域产生新的应用电路提供了器件模拟实体。

一种新型浮地记忆元件建模方法及实现

忆阻器、忆容器和忆感器是具有记忆特性的非线性元件,隶属于记忆元件系统.目前,由于现有可购忆阻器芯片尚存在许多不足,且忆容器和忆感器的硬件实物研究仍处于实验室验证阶段,因此,研究者们获取此类记忆元件硬件仍有难度.为了解决这个问题,建立有效的记忆元件等效电路模型,以促进对记忆元件及其系统的特性和应用研究.本文根据忆阻器、忆容器和忆感器的本构关系,提出一种新型浮地记忆元件建模方法,即采用搭建通用模拟器的方式,在保证电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入通用模拟器的无源电路元件分别实现浮地忆阻器、忆容器和忆感器模型.相比于其他能实现3种浮地记忆元件模型的研究,本文所搭建的记忆元件模型结构简单,工作频率更高,易于电路实现.结合理论分析、PSPICE仿真及硬件电路实验结果的一致性,验证基于该通用模拟器搭建记忆元件模型的可行性和有效性.

基于模拟电路的新型忆感器等效模型

本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合Pspice软件进行了仿真验证.忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性.最后,运用实验手段研究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与RC串联后电路的动态特征,证明了本文提出忆感器等效电路模型的有效性.

Bs&T Pulse:针对铁粉芯的可靠验证方案

随着磁粉芯材料技术的快速发展,其在工业制造中的应用也日益增加。然而,由于磁粉芯测量鉴定标准的缺失,针对其的设计应用和测量比较都极其困难。本文提出了基于Bs&T Pulse电感脉冲仪的大信号和小信号的综合测量技术,解决了这一难题,并给出了详实的实验数据验证。